インテルで日常的に使用されている用語

用語

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22nm 3D トライゲート・トランジスター
インテルの 3D トライゲート・トランジスターは、3D 構造でシリコンチャネルの周りを包む 3 つのゲートを使用しており、これまでにないパフォーマンスとエネルギー効率の組み合わせを実現します。インテルは、スマートフォンやタブレットなどの携帯用デバイスで、他にはない超低消費電力を実現するとともに、ハイエンド・プロセッサーに通常期待されるような高いパフォーマンスを発揮する新しいトランジスターを設計しました。

A-C

チャネル
トランジスタが「オン」状態にあるときに電流が流れるトランジスタのゲート下の領域。

チップ
集積電子回路を含み、形状は小さく薄い正方形または長方形。ダイは、シリコンのウエハー上に一括して形成される。チップは、パッケージ化されたダイを指す。チップは、プロセッサーやマイクロプロセッサーとも呼ばれる。マイクロプロセッサーは、コンピューター、サーバー、通信製品、その他のデジタルデバイスの頭脳である。

Circuit (サーキット)
機能を実行するために、特定の構成でワイヤーによって相互接続されたトランジスタのネットワーク。

Cleanroom (クリーンルーム)
チップが製造される高清浄度クリーンルーム。クリーンルームの空気は一般的な病院の手術室に比べ、数千倍もクリーンである。

CAD (コンピューター支援設計)
集積回路の設計に使用されるコンピューター化されたワークステーションとソフトウェア。

D-F

Die (ダイ)
チップの代替名。通常、パッケージ前のものを表す。「Chip (チップ)」も参照。

Etching (エッチング)
材料の選択部を除去し、チップ上にパターン化された層を確定すること。

Fab (ファブ)
インテルがシリコンチップを製造する「製造施設」の短縮形。

Fabrication (ファブリケーション)
チップを作る工程。

Front-opening unified pod (前面開閉式ウエハー用保管・搬送容器、FOUP)
ファブ内の自動化システムの一部として、ウエハーを保管し、搬送する容器。

G-J

Gate (ゲート)
トランジスタの入力制御領域。負電荷または正電荷が印加され、電流を遮断または許容する。

Gate dielectric (ゲート誘電体)
ゲートをチャネルから隔離する、ゲートの下の薄い層。

High-k 材料 (高誘電率材料)
ゲート誘電体として二酸化ケイ素の代替となる材料。絶縁性が高く、ゲートとチャネルの間に高い電界効果を発生させる。どちらも、高性能なトランジスタに求められる特性である。また、High-k 材料は、二酸化ケイ素と同じ望ましい特性を維持しながら、より厚みがあるため、電流漏れを大幅に低減できる。

K-O

Mask (マスク)
ウエハーに積層回路パターンを印刷するために、製造時に使用されるステンシル状のパターン。

Moore's law (ムーアの法則)
1965年、ゴードン・ムーアはシリコン上のトランジスタの数は毎年倍増すると予測し、これは後にムーアの法則と呼ばれるようになった。1975年、ムーアは業界がコンピューター・チップに実装できるトランジスタの数は、数年ごとに倍増すると予測に変更を加えた。トランジスタの数が増加するにつれ、トランジスタあたりのコストは低下する。

Nanometer (ナノメーター)
10 億分の 1 メートル。

P-R

Photolithography (フォトリソグラフィー)
紫外線とマスクを使用して、目的のパターンを定め、シリコンウエハー上に特定の材料パターンを確定するプロセス。

Photoresist (フォトレジスト)
紫外線を照射すると可溶性になる物質。写真フィルムに似て紫外線に敏感だが、特定のエッチングの化学薬品に耐性がある。チップ製造時の回路パターンを確定するために使用される。

Polycrystalline silicon (多結晶シリコン)
ポリシリコンとも呼ばれる多くの結晶で構成されたシリコン。この導電性材料は、チップ上の相互接続層として使用されます。

S-U

Semiconductor (半導体)
電流を伝導させたり、電流の流れを妨げるように変化させることができる材料 (シリコンなど)。

半導体
一般的な海浜の砂の主成分で、チップが製造されるウエハーを作る際に使われる要素。シリコンは天然の半導体で、地球上で酸素に次いで多い元素である。

Silicon ingot (シリコンインゴット)
純度 99.9999% のシリコンで形成されたシリンダー。インゴットは、ウエハーと呼ばれる薄いシリコーンディスクにスライスされる。

Strained silicon (歪みシリコン）
格子内の原子間距離を変化させるために、伸張または圧縮されたシリコンの層。これにより、トランジスタを介した電子の移動を制限する原子間力を低減する。これにより、モビリティーの向上、チップ性能の向上、消費電力の削減が可能となる。

Transistor (トランジスター)
電気の流れを制御するスイッチの一種。チップには、数百万個から数十億個のトランジスタが含まれている。

Ultrabook™
2011年6月に Computex で発表された、Ultrabook™ デバイスの仕様、インテル® Core™ プロセッサー・ファミリーに加えられたロードマップの変更により、この新しい種類のデバイスが実現した。Ultrabook のシステムは、薄型軽量でありながら、最高のパフォーマンス、応答性、セキュリティー、バッテリー持続時間を兼ね備えており、デスクトップ / ノートブック PC とタブレットのギャップを埋めている。

V-Z

Wafer (ウエハー)
円筒形の水晶インゴットからスライスした薄いシリコンディスク。集積回路を構築するベース材料として使用。

Wafer Sort (ウエハーソート)
完全に機能していないウエハー上のチップを識別する電気的テスト手順。

Zettabyte (ゼタバイト、ZB)
1 セクスティリオン・バイトに相当する演算情報の単位。(ゼタバイトには ０ が 21 個付き、4.4 兆本の HD ムービーを保存するのに十分な容量である。) 他の演算単位については、ギガバイトを参照。