インテル 18A の差別化

• Intel 3 プロセスノードと比較して、ワット当たりのパフォーマンスが最大 15%、チップ密度が最大 30% 向上。¹
• 北米で製造された最も初期のサブ 2nm アドバンストノードは、顧客に回復力のある供給代替手段を提供します。
• 業界初の PowerVia バックサイド電源供給テクノロジーは、密度とセル使用率を5〜10%改善し、抵抗性電力供給ドループを低減することにより、フロントサイド電源設計と比較して最大4%の ISO 電力性能向上と固有の抵抗(IR)ドロップを大幅に低減します。²
• RibbonFET ゲートオールラウンド (GAA) トランジスター・テクノロジーにより、電流の正確な制御が可能。RibbonFET は、チップのさらなる小型化を可能にし、チップの高密度化にとって重要な懸念事項である消費電力を低減します。
• HD MIM コンデンサは、誘導電力ドループを大幅に低減し、安定したチップ動作を向上させます。この機能は、突然の強力な計算能力を必要とする生成的 AI などの現在のワークロードにとって非常に重要です。
• 業界標準の EDA ツールとリファレンス・フローを完全にサポートし、他のテクノロジーノードからのスムーズな移行を可能にします。EDA パートナーがリファレンス・フローを提供することで、お客様は他のバックサイド電源ソリューションに先駆けて PowerVia を使用した設計を開始できます。
• EDA、IP、デザインサービス、クラウドサービス、航空宇宙および防衛に及ぶ、業界をリードする 35 社以上のエコシステム・パートナーによる強力な集合体により、幅広い顧客支援を確実にし、採用をさらに容易にします。

パワービア

トランジスターの密度が高くなると、信号と電源のルーティングが混在して輻輳が発生し、性能が低下する可能性があります。Intel Foundry の業界初の PowerVia テクノロジーは、コースピッチメタルとバンプをダイの裏側に移動し、すべての標準セルにナノスケールのスルーシリコンビア (nano-TSV) を埋め込んで効率的な電力分配を実現します。

PowerVia は、標準セル使用率を5〜10%向上させ、ISO パワーパフォーマンスを最大4%向上させます。²

リボン FET

RibbonFET は、トランジスター・チャネル内の電流を厳密に制御できるため、チップの密度が増すにつれて重大な懸念事項である電力漏れを低減しながら、チップ・コンポーネントのさらなる小型化を可能にします。

RibbonFET は、ワットあたりのパフォーマンス、最小電圧 (Vmin) 動作、および静電気を改善し、パフォーマンスに大きな利点をもたらします。RibbonFET は、さまざまなリボン幅と複数のスレッショルド電圧(Vt)タイプを通じて、高度な調整可能性も提供します。

Intel Foundry Accelerator Ecosystem Alliances

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インテル® 18A の稼働例

Clearwater Forest サーバー・プロセッサーは、インテル® Foundry の高度なパッケージング技術と組み合わせたインテル® 18A の可能性を示しています。