Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド

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ID 683241
日付 12/17/2024
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーの概要 2. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 3. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 4. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー IP のリファレンス 5. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのデバッグ 6. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド・アーカイブ 7. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド改訂履歴
1. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーの概要 x
1.1. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーの機能
2. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 x
2.1. Agilex™ 7 M シリーズ M20K ブロックのファブリック・ネットワークオンチップ (NoC) 2.2. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイト・イネーブル 2.3. アドレス・クロック・イネーブルのサポート 2.4. 非同期クリアと同期クリア 2.5. メモリーブロックの誤り訂正コード (ECC) のサポート 2.6. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのクロックモード 2.7. Agilex™ 7エンベデッド・メモリーのコンフィグレーション 2.8. Force-to-Zero 2.9. コヒーレント読み出しメモリー 2.10. フリーズロジック 2.11. トゥルー・デュアルポートのデュアルクロック・エミュレーター 2.12. 読み出しアドレスレジスターと書き込みアドレスレジスターの初期値 2.13. M20K ブロックのタイミングまたは消費電力の最適化機能 2.14. Agilex™ 7 でサポートされるエンベデッド・メモリー IP
2.2. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイト・イネーブル x
2.2.1. バイト・イネーブル制御 2.2.2. データバイト出力 2.2.3. バイト・イネーブルの動作
2.5. メモリーブロックの誤り訂正コード (ECC) のサポート x
2.5.1. 誤り訂正コードの真理値 2.5.2. パリティービット 2.5.3. ECC のパリティーフリップ 2.5.4. ECC Read-During-Write の動作
2.6. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのクロックモード x
2.6.1. シングルクロック・モード 2.6.2. 読み出し/書き込みクロックモード 2.6.3. 入力/出力クロックモード 2.6.4. クロックモードにおける非同期/同期クリア 2.6.5. 同時読み出し/書き込みにおける出力読み出しデータ 2.6.6. クロックモードにおける独立したクロックイネーブル
2.7. Agilex™ 7エンベデッド・メモリーのコンフィグレーション x
2.7.1. 混合幅のポート・コンフィグレーション
2.9. コヒーレント読み出しメモリー x
2.9.1. 転送ロジック
3. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 x
3.1. メモリーブロックの選択についての考慮事項 3.2. 同時読み出し動作についての考慮事項 3.3. Read-During-Write (RDW) 3.4. 電源投入時の状態とメモリーの初期化についての考慮事項 3.5. 消費電力の削減 3.6. 非決定的な入力の使用に関する制限 3.7. クロック信号と他のコントロール信号の同時変更に関する制限 3.8. Quartus® Prime 開発ソフトウェアにおけるメモリーの高度な設定 3.9. メモリー深度の設定に関する考慮事項 3.10. M20K エンベデッド・メモリー・ブロックの入力クロック品質要件 3.11. メモリー出力のレジスターに関する考慮事項
3.3. Read-During-Write (RDW) x
個別の読み出しクロックと書き込みクロック 3.3.1. Read-During-Write 動作のカスタマイズ
3.3.1. Read-During-Write 動作のカスタマイズ x
3.3.1.1. 同一ポートの Read-During-Write モード 3.3.1.2. 混合ポートの Read-During-Write モード
4. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー IP のリファレンス x
4.1. オンチップメモリー RAM/ROM インテル FPGA IP コア 4.2. eSRAM Agilex™ FPGA IP 4.3. FIFO Intel FPGA IP 4.4. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IP
4.1. オンチップメモリー RAM/ROM インテル FPGA IP コア x
4.1.1. RAM/ROM Intel® FPGA IP のリリース情報 4.1.2. RAM: 1-PORT Intel® FPGA IP のパラメーター 4.1.3. RAM: 2-PORT Intel® FPGA IP のパラメーター 4.1.4. RAM: 4-PORT Intel® FPGA IP のパラメーター 4.1.5. ROM: 1-PORT Intel® FPGA IP のパラメーター 4.1.6. ROM: 2-PORT Intel® FPGA IP のパラメーター 4.1.7. パラメーター設定の手動変更 4.1.8. RAM および ROM のインターフェイス信号
4.1.7. パラメーター設定の手動変更 x
4.1.7.1. RAM および ROM のパラメーター設定
4.2. eSRAM Agilex™ FPGA IP x
4.2.1. eSRAM Agilex™ FPGA IP のリリース情報 4.2.2. eSRAM システムの機能 4.2.3. eSRAM Agilex™ FPGA IP のパラメーター 4.2.4. eSRAM Agilex™ FPGA IP のインターフェイス信号 4.2.5. eSRAM のタイミング図
4.2.2. eSRAM システムの機能 x
4.2.2.1. eSRAM の仕様
4.3. FIFO Intel FPGA IP x
4.3.1. FIFO Intel® FPGA IP のリリース情報 4.3.2. コンフィグレーション方法 4.3.3. 仕様 4.3.4. FIFO の機能におけるタイミング要件 4.3.5. SCFIFO の ALMOST_EMPTY 機能のタイミング 4.3.6. FIFO の出力ステータスフラグとレイテンシー 4.3.7. FIFO の準安定状態の保護および関連オプション 4.3.8. FIFO の同期クリアと非同期クリアの影響 4.3.9. SCFIFO および DCFIFO の Show-ahead モード 4.3.10. 異なる入力幅と出力幅 4.3.11. DCFIFO のタイミング制約の設定 4.3.12. 手動インスタンス化のコーディング例 4.3.13. デザイン例 4.3.14. クロック・ドメイン・クロッシングでのグレイコード・カウンター転送 4.3.15. エンベデッド・メモリーの ECC 機能に関するガイドライン 4.3.16. FIFO Intel® FPGA IP のパラメーター 4.3.17. リセットスキーム
4.3.3. 仕様 x
4.3.3.1. Verilog HDLプロトタイプ 4.3.3.2. VHDL のコンポーネント宣言 4.3.3.3. VHDLのLIBRARY-USE 宣言 4.3.3.4. パラメーター化が可能なマクロ・テンプレートの HDL コード 4.3.3.5. FIFO の信号 4.3.3.6. FIFO のパラメーター設定
4.3.8. FIFO の同期クリアと非同期クリアの影響 x
4.3.8.1. DCFIFO コンパイル時のリカバリーとリムーバルのタイミング違反警告
4.3.11. DCFIFO のタイミング制約の設定 x
4.3.11.1. 組み込みタイミング制約 4.3.11.2. ユーザーでコンフィグレーション可能なタイミング制約
4.3.11.2. ユーザーでコンフィグレーション可能なタイミング制約 x
4.3.11.2.1. SDC コマンド
4.4. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IP x
4.4.1. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IP のリリース情報 4.4.2. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IP の機能 4.4.3. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IP の基本的な説明 4.4.4. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IP のパラメーターの設定 4.4.5. シフトレジスターのポートとパラメーターの設定
1. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーの概要
2. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能
3. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項
4. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー IP のリファレンス
5. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリーのデバッグ
6. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド・アーカイブ
7. Agilex™ 7 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド改訂履歴

3.3. Read-During-Write (RDW)

デジタル回路において、あるメモリー位置 (アドレス) にデータの読み出しと書き込みの両方を同時にアクセスすると、RDW が発生します。

これにより、予期しない動作が発生する可能性があります。タイミングによっては、読み出し動作で古いデータがキャプチャーされる、書き込まれている新しいデータがキャプチャーされる、またはその両方が混在する可能性があります。

Quartus® Prime IP で M20K メモリーブロックを使用している際に RDW が競合する場合は、2 つの特定のパラメーターにより出力動作をコンフィグレーションできます。
  • Old Data: これにより、読み出し動作では、書き込み動作が開始する前にアドレスに存在するデータが反映されます。
  • Don't Care: RDW 時の出力値は予測できません。このパラメーターは、競合時の特定のデータ値が重要でない場合に使用します。

個別の読み出しクロックと書き込みクロック

個別の読み出しクロックと書き込みクロックを使用するデザインでは、RDW の競合を避けるため、読み出し操作を開始する読み出しクロックの立ち上がりエッジ前に、書き込み操作におけるアドレスを読み出しアドレスとは異なる値に変更する必要があります(書き込みクロックの立ち上がりエッジで)。


セクションの内容
Read-During-Write 動作のカスタマイズ

レベル 2 の表題