外部メモリー・インターフェイス Agilex™ 7 FシリーズおよびIシリーズFPGA IPユーザーガイド

ID 683216
日付 3/29/2024
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ドキュメント目次

10.1. インターフェイス規格

特定のインターフェイス規格の仕様に準拠することは、コントローラーの効率に影響します。

メモリーデバイスをメモリー・コントローラーにインターフェイス接続する際は、タイミングの仕様に従い、次のバンク管理操作を実行する必要があります。

  • アクティブ化

    SDRAMデバイス内のバンクに読み出し (RD) または書き込み (WR) コマンドを発行する前に、アクティブ化 (ACT) コマンドを使用してそのバンクの行を開く必要があります。行を開くと、tRCDの仕様に基づき読み出しまたは書き込みコマンドをその行に発行することができます。閉じた行への読み出しまたは書き込みは、最初にコントローラーでその行をアクティブにし、tRCD時間を待機してから読み出しまたは書き込みを実行する必要があるため、効率に悪影響をおよぼします。

  • プリチャージ

    同じバンク内の別の行を開くには、プリチャージ・コマンドを発行する必要があります。プリチャージ・コマンドは、特定のバンクの開いている行またはすべてのバンクの開いている行を非アクティブにします。行の切り替えは、開いている行を最初にプリチャージしてから次の行をアクティブにし、tRCD時間を待機してからその行に対する読み出しまたは書き込み動作を実行する必要があるため、効率に悪影響をおよぼします。

  • デバイスのCASレイテンシー

    メモリーデバイスには独自の読み出しレイテンシーがあり、CASレイテンシーが大きいほど、個々のアクセスの効率は低下します。動作周波数が高いほど、CASレイテンシーはサイクル数で長くなります。

  • リフレッシュ

    リフレッシュはサイクルで考えると、プリチャージ・コマンドと自動リフレッシュの待機期間で構成されます。