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3.1. ガイドライン : VREFソースとVREFピン
3.2. ガイドライン : 3.0 Vインターフェイスでのデバイスの絶対最大定格の観察
3.3. ガイドライン:電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式のI/O規格
3.4. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
3.5. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
3.6. ガイドライン: 3つのVI/Oバンクすべてに1つの電圧のみを使用
3.7. ガイドライン: インテル® Stratix® 10 TX 400のI/O規格の制限
3.8. ガイドライン: Intel® Stratix® 10 GX 400そしてSX 400のI/O規格の制限
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2.1.1. Intel® Stratix® 10のI/O 規格のサポート
I/O 規格 | サポートするI/Oバッファー・タイプ | 適用 | 規格サポート | ||
---|---|---|---|---|---|
LVDS I/O | 3 V I/O 1 2 | 3.3 V I/O 3 | |||
3.3 V LVTTL/3.3 V LVCMOS | 無効 | 無効 | 有効 | 汎用 | JESD8-B |
3.0 V LVTTL/3.0 V LVCMOS | 無効 | 有効4 | 有効 | 汎用 | JESD8-B |
2.5 V LVCMOS | 無効 | 有効 5 | 無効 | 汎用 | JESD8-5 |
1.8 V LVCMOS | 有効 | 有効 5 | 無効 | 汎用 | JESD8-7 |
1.5 V LVCMOS | 有効 | 有効 5 | 無効 | 汎用 | JESD8-11 |
1.2 V LVCMOS | 有効 | 有効 5 | 無効 | 汎用 | JESD8-12 |
SSTL-18 Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | フラッシュインターフェイス | JESD8-15 |
SSTL-15 Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | DDR3 | — |
SSTL-15 | 有効 | 無効 | 無効 | DDR3 | JESD79-3D |
SSTL-135 | 有効 | 無効 | 無効 | DDR3L | — |
SSTL-125 6 | 有効 | 無効 | 無効 | QDR-IV | — |
SSTL-12 | 有効 | 無効 | 無効 | RLDRAM 3, QDR-IV | — |
POD12 | 有効 | 無効 | 無効 | DDR4, QDR-IV | JESD8-24 |
1.8 V HSTL Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | DDR II+、QDR II+、およびRLDRAM 2 | JESD8-6 |
1.5 V HSTL Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | DDR II+、QDR II+、QDR II、RLDRAM 2 | JESD8-6 |
1.2 V HSTL Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | QDR-IV、汎用、、 | JESD8-16A |
HRR-12 | 有効 | 無効 | 無効 | LPDDR2, LPDDR3 | — |
差動SSTL-18 Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | 汎用 | JESD8-15 |
差動SSTL-15 Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | DDR3 | — |
差動SSTL-15 | 使用可 | 無効 | 無効 | DDR3 | JESD79-3D |
差動SSTL-135 | 使用可 | 無効 | 無効 | DDR3L | — |
差動SSTL-1256 | 有効 | 無効 | 無効 | 汎用 | — |
差動SSTL-12 | 使用可 | 無効 | 無効 | RLDRAM 3 : | — |
差動POD12 | 有効 | 無効 | 無効 | DDR4 | JESD8-24 |
差動1.8 V HSTL Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | DDR II+、QDR II+、およびRLDRAM 2 | JESD8-6 |
差動1.5 V HSTL Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | DDR II+、QDR II+、QDR II、RLDRAM 2 | JESD8-6 |
差動1.2 V HSTL Class IおよびClass II | 有効 | 無効 | 無効 | 汎用 | JESD8-16A |
差動HSUL-12 | 使用可 | 無効 | 無効 | LPDDR2, LPDDR3 | — |
LVDS 7 | 有効 | 無効 | 無効 | SGMII、SFI、およびSPI | ANSI/TIA/EIA-644 |
Mini-LVDS 7 | 有効 | 無効 | 無効 | SGMII、SFI、およびSPI | — |
RSDS7 | 有効 | 無効 | 無効 | SGMII、SFI、およびSPI | — |
LVPECL | 有効 | 無効 | 無効 | SGMII、SFI、およびSPI | — |
注: 3 V I/Oバンクで1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5、または3.0 V I/O規格を使用するには、I/OピンにUSE_AS_3V_GPIO割り当てを設定する必要があります。 インテル® Quartus® Prime設定ファイル( .qsf )で、次の割り当てを指定します。set_instance_assignment -name USE_AS_3V_GPIO ON -to <your pin name>
I/O 規格 | 適用 | 規格サポート |
---|---|---|
1.8 V LVCMOS | 汎用 | JESD8-7 |
1 LタイルおよびHタイルのトランシーバー・タイルでのみ使用できます。
2 トランシーバー・タイルの電源が切断されると、タイルの3 V I/Oバンクは使用できなくなります。
4 HF35のパッケージ Intel® Stratix® 10 GX 400そしてSX 400デバイスの場合、 インテル® Quartus® Primeソフトウェアは、I/Oバンク3Cを使用してI/Oを自動的に実装します。Hタイルデバイスの場合、USE_AS_3V_GPIO インテル® Quartus® Primeピンへの割り当てを設定する必要があります。
5 UUSE_AS_3V_GPIO インテル® Quartus® Prime割り当てをピンに設定する必要があります。
6 Intel® Stratix® 10 I/Oバッファーはメモリー・アプリケーションのさまざまなI/O規格をサポートしていますが、Intelは、 Intel® Stratix® 10 外部メモリー・インターフェイスのユーザーガイドのパフォーマンスサポートの概要にリストされているメモリインターフェイスのIPのみを検証およびサポートしています。