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3.1. ガイドライン : VREFソースとVREFピン
3.2. ガイドライン : 3.0 Vインターフェイスでのデバイスの絶対最大定格の観察
3.3. ガイドライン:電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式のI/O規格
3.4. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
3.5. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
3.6. ガイドライン: 3つのVI/Oバンクすべてに1つの電圧のみを使用
3.7. ガイドライン: インテル® Stratix® 10 TX 400のI/O規格の制限
3.8. ガイドライン: Intel® Stratix® 10 GX 400そしてSX 400のI/O規格の制限
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2.3.8. プログラマブル・ドライブ能力
プログラマブル・ドライブ能力を使用して、長い伝送経路またはレガシー・バックプレーンに起因するHigh信号減衰による影響を緩和することができます。
注:
プログラム可能なドライブ強度を使用するには、 インテル® Quartus® Prime ソフトウェアでドライブ強度のアサインメントてを指定する必要があります。 明示的な割り当てがない場合、 インテル® Quartus® Prime ソフトウェアは次の既定のデフォルト値を使用します。
- すべての HSTL と SSTL Class I、およびすべての非電圧リファレンスの I/O 規格—キャリブレーションなしの 50 Ω RS OCT
- すべての HSTL と SSTL Class II I/O 規格—キャリブレーションなしの 25 Ω RS OCT
- POD12 I/O 規格—キャリブレーションなしの 34 Ω RS OCT
I/O 規格 | IOH / IOLのドライブ能力設定値(mA) |
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FPGAにおけるサポート | HPSのプログラマブル電流強度の情報は暫定的なものです。 (SoCデバイスのみ) |
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可用 | デフォルト | 可用 | デフォルト | ||
3.3 V LVTTL 12 | 16、12、8、4 | 12 | — | — | |
3.3 V SSTL | 16, 12, 8, 4 | 12 | — | — | |
3.0 V LVTTL 13 | 3.3 VのI/Oバンク | 16、12、8、4 | 12 | — | — |
3VのI/Oバンク | 24、20、16、12、8、4 | ||||
3.0 V LVCMOS13 | 3.3 VのI/Oバンク | 16、12、8、4 | 12 | — | — |
3VのI/Oバンク | 24、20、16、12、8、4 | ||||
2.5 V LVCMOS | 16, 12, 8, 4 | 12 | — | — | |
1.8 V LVCMOS | 16、12、10、8、6、4、2 | 12 | 12、10、8 | 12 | |
1.5 V LVCMOS | 12、10、8、6、4、2 | 12 | — | — | |
1.2 V LVCMOS | 8, 6, 4, 2 | 8 | — | — | |
SSTL-18 Class I | 8、6、4 | 8 | — | — | |
SSTL-18 Class II | 8 | 8 | — | — | |
SSTL-15 Class I | 8、6、4 | 8 | — | — | |
SSTL-15 Class II | 8 | 8 | — | — | |
SSTL-135 | 8、6、4 | 8 | — | — | |
SSTL-125 | 8、6、4 | 8 | — | — | |
SSTL-12 | 8、6、4 | 8 | — | — | |
POD12 | 8、6、4 | 8 | — | — | |
1.8 V HSTL Class I | 12、10、8、6、4 | 8 | — | — | |
1.8 V HSTL Class II | 14 | 14 | — | — | |
1.5 V HSTL Class I | 12、10、8、6、4 | 8 | — | — | |
1.5 V HSTL Class II | 14 | 14 | — | — | |
1.2 V HSTL Class I | 8、6、4 | 8 | — | — | |
差動 SSTL-18 class I | 8、6、4 | 8 | — | — | |
差動HSTL-18 Class II | 8 | 8 | — | — | |
差動 SSTL-15 Class I | 8、6、4 | 8 | — | — | |
差動HSTL-15 Class II | 8 | 8 | — | — | |
差動SSTL-135 | 12、10、8、6、4 | 8 | — | — | |
差動SSTL-125 | 12、10、8、6、4 | 8 | — | — | |
差動 SSTL-12 Class I | 12、10、8、6、4 | 8 | — | — | |
差動POD12 | 8、6、4 | 8 | — | — | |
差動1.8 V HSTL Class I | 12、10、8、6、4 | 8 | — | — | |
差動1.8 V HSTL Class II | 14 | 14 | — | — | |
差動1.5 V HSTL Class I | 12、10、8、6、4 | 8 | — | — | |
差動1.5 V HSTL Class II | 14 | 14 | — | — | |
差動1.2 V HSTL Class I | 8、6、4 | 8 | — | — |
注: Intelは、特定のアプリケーションに最適なドライブ強度設定を決定するために、IBIS または SPICE シミュレーションを実行することを推奨します。
関連情報
12 Intel® Stratix® 10 GX 400そしてSX 400デバイスHF35のパッケージでのI/Oバンク3Cでのみ使用可能。現在の強度設定コントロールは、8ピングループベースです。ピングループを識別するには、デバイスのピン配置ファイル「オプション機能」カラムを参照してください。たとえば、グループ名はIO33_LS[<group index>]_[<pin index>]です。
13 プログラマブルスルーレート制御は、16 mA以上の電流強度設定にのみ適用できます。