Arria 10 SoCブート・ユーザーガイド

ID 683735
日付 10/30/2015
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ドキュメント目次

1.3.2. ブートに向けたフラッシュ・メモリ・デバイス

ブートローダ・イメージを含むメモリ・コントローラおよびデバイスには、フラッシュから正しくブートを実行するためのコンフィギュレーション要件があります。

すべてのフラッシュ・デバイスには、最大4個の第2ステージ・ブートローダ・イメージを含むブート・エリアと呼ばれるメモリ領域が存在します。QSPIおよびSD/MMCデバイスの場合、ブート・エリアのサイズは1 MBです。NANDデバイスの場合、ブート・エリアのサイズは4デバイス・ブロックですが、NAND消去ブリックが256 Kbよりも大きければ1 MBより大きくなります。

SD/MMC、Quad SPI、およびNANDフラッシュ・デバイスはすべて、RawモードとMBR(パーティション)モードをサポートします。Rawモードでは、ブート・イメージはフラッシュ・メモリ・デバイスの開始のオフセット0x0に配置されます。MBRモードでは、以下となります。

  • ブート・イメージはカスタム・パーティション(0xA2)からリードされます
  • 最初のイメージはパーティションの最初であるオフセット0x0に配置されます
  • 開始アドレス = パーティション開始アドレス