EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイスのデータシート

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ID 683818
日付 10/01/2019
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイス ユーザーガイド
1. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイス ユーザーガイド x
1.1. サポートされるデバイス 1.2. 特性 1.3. 動作条件 1.4. ピン情報 1.5. デバイスパッケージおよび注文コード 1.6. メモリー・アレイの構成 1.7. メモリー・オペレーション 1.8. ステータスレジスター 1.9. オペコードの概要 1.10. 電源モード 1.11. タイミング情報 1.12. プログラミングおよびコンフィグレーション・ファイルのサポート 1.13. 10GBASE-KR PHYレジスターの定義 1.14. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイスのデータシートのドキュメント改訂履歴
1.3. 動作条件 x
1.3.1. 絶対最大定格 1.3.2. 推奨動作条件 1.3.3. DC操作条件 1.3.4. 測定条件 1.3.5. ICC供給電流 1.3.6. キャパシタンス
1.4. ピン情報 x
1.4.1. EPCQ4A、EPCQ16A、およびEPCQ32Aデバイスのピンアウト図 1.4.2. EPCQ64AおよびEPCQ128Aデバイスのピンアウト図 1.4.3. EPCSデバイスピンの概要
1.5. デバイスパッケージおよび注文コード x
1.5.1. パッケージ 1.5.2. 製品コード
1.6. メモリー・アレイの構成 x
1.6.1. EPCQ4Aのアドレス範囲 1.6.2. EPCQ16Aのアドレス範囲 1.6.3. EPCQ32Aのアドレス範囲 1.6.4. EPCQ64Aのアドレス範囲 1.6.5. EPCQ128Aのアドレス範囲
1.7. メモリー・オペレーション x
1.7.1. タイミング要件
1.8. ステータスレジスター x
1.8.1. ステータス読み出し操作 1.8.2. ステータス書き込み操作
1.9. オペコードの概要 x
1.9.1. Read Bytesオペレーション(03h) 1.9.2. Fast Readオペレーション(0Bh) 1.9.3. Extended Dual Input Fast Readオペレーション (BBh) 1.9.4. Extended Quad Input Fast Readオペレーション（EBh） 1.9.5. デバイス識別子読み出し操作 1.9.6. Read Silicon Identificationオペレーション（ABh） 1.9.7. 書き込みイネーブル操作 1.9.8. Write Disableオペレーション (04h) 1.9.9. Write Bytesオペレーション (02h) 1.9.10. Quad Input Fast Write Bytesオペレーション（32h） 1.9.11. 一括消去操作完了時 1.9.12. Erase Sectorオペレーション (D8h) 1.9.13. Erase Subsectorオペレーション（20h） 1.9.14. Read SFDP Registerオペレーション (5Ah)
1.11. タイミング情報 x
1.11.1. 書き込み操作のタイミング図 1.11.2. 読み出し操作のタイミング図
1. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイス ユーザーガイド

1.3.3. DC操作条件

表 4.  EPCQ-AデバイスのDC操作条件
シンボル パラメーター 条件 最小値 最大値 単位
VIH High-level input voltage — 0.7 x VCCIO VCC + 0.4 V
VIL Low-level input voltage — -0.5 0.3 x VCCIO V
VOH High-level output voltage IOH = -100 µA VCC - 0.2 — V
VOL Low-level output voltage for EPCQ4A IOL = 100 µA —

0.4

 V
Low-level output voltage for EPCQ16A, EPCQ32A, EPCQ64A, and EPCQ128A —

0.2

 V
II Input leakage current VI = VCCまたはGND -2 2 µA
IOZ Tri-state output off-state current VO = VCCまたはGND -2 2 µA
LR Input leakage 0≤/Reset <VCC — 12 µA
/Reset = VCC — 1 µA
RPR Pull-up resistance — 300 1000 kΩ
レベル 2 の表題