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1.9.1. Read Bytesオペレーション(03h)
1.9.2. Fast Readオペレーション(0Bh)
1.9.3. Extended Dual Input Fast Readオペレーション (BBh)
1.9.4. Extended Quad Input Fast Readオペレーション（EBh）
1.9.5. デバイス識別子読み出し操作
1.9.6. Read Silicon Identificationオペレーション（ABh）
1.9.7. 書き込みイネーブル操作
1.9.8. Write Disableオペレーション (04h)
1.9.9. Write Bytesオペレーション (02h)
1.9.10. Quad Input Fast Write Bytesオペレーション（32h）
1.9.11. 一括消去操作完了時
1.9.12. Erase Sectorオペレーション (D8h)
1.9.13. Erase Subsectorオペレーション（20h）
1.9.14. Read SFDP Registerオペレーション (5Ah)
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1.7.1. タイミング要件
アクティブLowチップセレクト(nCS）信号がLowで駆動されると、DATA0ピンを使用してEPCQ-Aデバイスにオペレーション・コードをシフトインします。各オペレーション・コードは、DCLK信号の立ち下がりエッジでEPCQ-Aデバイスにラッチされます。
このオペレーションを実行中、所定のオペレーション・コードがシフトインし、アドレスまたはデータバイトがそれに続きます。アドレスおよびデータバイトの詳細については、関連情報を参照してください。デバイスは、オペレーション・シーケンスの最後のビットがシフトインした後、nCSピンを駆動する必要があります。
Readオペレーションでは、Data ReadはDATA[3:0]ピンでシフトアウトします。データのいずれかのビットがシフトアウトされると、nCSピンを駆動することが可能です。
書き込みおよび消去の操作では、8クロック・パルスの倍数であるバイト境界でnCSピンをHighに駆動します。
書き込みまたは消去サイクル進行中のメモリー・コンテンツへのアクセスの試みはすべて拒否され、書き込みと消去サイクルは無変化のままです。