EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイスのデータシート

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ID 683818
日付 10/01/2019
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイス ユーザーガイド
1. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイス ユーザーガイド x
1.1. サポートされるデバイス 1.2. 特性 1.3. 動作条件 1.4. ピン情報 1.5. デバイスパッケージおよび注文コード 1.6. メモリー・アレイの構成 1.7. メモリー・オペレーション 1.8. ステータスレジスター 1.9. オペコードの概要 1.10. 電源モード 1.11. タイミング情報 1.12. プログラミングおよびコンフィグレーション・ファイルのサポート 1.13. 10GBASE-KR PHYレジスターの定義 1.14. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイスのデータシートのドキュメント改訂履歴
1.3. 動作条件 x
1.3.1. 絶対最大定格 1.3.2. 推奨動作条件 1.3.3. DC操作条件 1.3.4. 測定条件 1.3.5. ICC供給電流 1.3.6. キャパシタンス
1.4. ピン情報 x
1.4.1. EPCQ4A、EPCQ16A、およびEPCQ32Aデバイスのピンアウト図 1.4.2. EPCQ64AおよびEPCQ128Aデバイスのピンアウト図 1.4.3. EPCSデバイスピンの概要
1.5. デバイスパッケージおよび注文コード x
1.5.1. パッケージ 1.5.2. 製品コード
1.6. メモリー・アレイの構成 x
1.6.1. EPCQ4Aのアドレス範囲 1.6.2. EPCQ16Aのアドレス範囲 1.6.3. EPCQ32Aのアドレス範囲 1.6.4. EPCQ64Aのアドレス範囲 1.6.5. EPCQ128Aのアドレス範囲
1.7. メモリー・オペレーション x
1.7.1. タイミング要件
1.8. ステータスレジスター x
1.8.1. ステータス読み出し操作 1.8.2. ステータス書き込み操作
1.9. オペコードの概要 x
1.9.1. Read Bytesオペレーション(03h) 1.9.2. Fast Readオペレーション(0Bh) 1.9.3. Extended Dual Input Fast Readオペレーション (BBh) 1.9.4. Extended Quad Input Fast Readオペレーション（EBh） 1.9.5. デバイス識別子読み出し操作 1.9.6. Read Silicon Identificationオペレーション（ABh） 1.9.7. 書き込みイネーブル操作 1.9.8. Write Disableオペレーション (04h) 1.9.9. Write Bytesオペレーション (02h) 1.9.10. Quad Input Fast Write Bytesオペレーション（32h） 1.9.11. 一括消去操作完了時 1.9.12. Erase Sectorオペレーション (D8h) 1.9.13. Erase Subsectorオペレーション（20h） 1.9.14. Read SFDP Registerオペレーション (5Ah)
1.11. タイミング情報 x
1.11.1. 書き込み操作のタイミング図 1.11.2. 読み出し操作のタイミング図
1. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイス ユーザーガイド

1.9. オペコードの概要

オペレーション オペコード 6 アドレス・バイト ダミーのクロックサイクル データ・バイト DCLK fMAX（MHz）
Read status 05h 0 0 7 100
Read bytes 03h 3 0 1～無限大7 50
Read devices indentification 9Fh 0 16 1 100
Read silicon identification ABh 0 24 1 100
Fast read 0Bh 3 8 1～無限大7 100
Extended dual input fast read BBh 3 4 1～無限大7 100
Extended quad input fast read 8 EBh 3 6 1～無限大7 100
Write enable 06h 0 0 0 100
Write disable 04h 0 0 0 100
Write status 01h 0 0 1 100
Write bytes 02h 3 0 1〜256 9 100
Quad input fast write bytes8 32h 3 0 1～256 100
Erase bulk C7h 0 0 0 100
Erase sector D8h 3 0 0 100
Erase subsector 20h 3 0 0 100
Read SFDP register8 5Ah 3 8 1～256 100

セクションの内容
Read Bytesオペレーション(03h)
Fast Readオペレーション(0Bh)
Extended Dual Input Fast Readオペレーション (BBh)
Extended Quad Input Fast Readオペレーション（EBh）
デバイス識別子読み出し操作
Read Silicon Identificationオペレーション（ABh）
書き込みイネーブル操作
Write Disableオペレーション (04h)
Write Bytesオペレーション (02h)
Quad Input Fast Write Bytesオペレーション（32h）
一括消去操作完了時
Erase Sectorオペレーション (D8h)
Erase Subsectorオペレーション（20h）
Read SFDP Registerオペレーション (5Ah)

6 MSBファーストおよびLSBラストで表記しています。
7 ステータスレジスターまたはデータは少なくとも一度読み出され、nCSピンがHigh に駆動されるまで継続して読み出されます。
8 この操作はEPCQ4Aには適用されません。.
9 書き込みバイトの操作には、少なくとも1つのデータバイトが必要です。 256バイトを超えるバイトがデバイスに送信された場合、最後の256バイトのみがメモリに書き込まれます。
レベル 2 の表題