EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイスのデータシート

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ID 683818
日付 10/01/2019
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイス ユーザーガイド
1. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイス ユーザーガイド x
1.1. サポートされるデバイス 1.2. 特性 1.3. 動作条件 1.4. ピン情報 1.5. デバイスパッケージおよび注文コード 1.6. メモリー・アレイの構成 1.7. メモリー・オペレーション 1.8. ステータスレジスター 1.9. オペコードの概要 1.10. 電源モード 1.11. タイミング情報 1.12. プログラミングおよびコンフィグレーション・ファイルのサポート 1.13. 10GBASE-KR PHYレジスターの定義 1.14. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイスのデータシートのドキュメント改訂履歴
1.3. 動作条件 x
1.3.1. 絶対最大定格 1.3.2. 推奨動作条件 1.3.3. DC操作条件 1.3.4. 測定条件 1.3.5. ICC供給電流 1.3.6. キャパシタンス
1.4. ピン情報 x
1.4.1. EPCQ4A、EPCQ16A、およびEPCQ32Aデバイスのピンアウト図 1.4.2. EPCQ64AおよびEPCQ128Aデバイスのピンアウト図 1.4.3. EPCSデバイスピンの概要
1.5. デバイスパッケージおよび注文コード x
1.5.1. パッケージ 1.5.2. 製品コード
1.6. メモリー・アレイの構成 x
1.6.1. EPCQ4Aのアドレス範囲 1.6.2. EPCQ16Aのアドレス範囲 1.6.3. EPCQ32Aのアドレス範囲 1.6.4. EPCQ64Aのアドレス範囲 1.6.5. EPCQ128Aのアドレス範囲
1.7. メモリー・オペレーション x
1.7.1. タイミング要件
1.8. ステータスレジスター x
1.8.1. ステータス読み出し操作 1.8.2. ステータス書き込み操作
1.9. オペコードの概要 x
1.9.1. Read Bytesオペレーション(03h) 1.9.2. Fast Readオペレーション(0Bh) 1.9.3. Extended Dual Input Fast Readオペレーション (BBh) 1.9.4. Extended Quad Input Fast Readオペレーション（EBh） 1.9.5. デバイス識別子読み出し操作 1.9.6. Read Silicon Identificationオペレーション（ABh） 1.9.7. 書き込みイネーブル操作 1.9.8. Write Disableオペレーション (04h) 1.9.9. Write Bytesオペレーション (02h) 1.9.10. Quad Input Fast Write Bytesオペレーション（32h） 1.9.11. 一括消去操作完了時 1.9.12. Erase Sectorオペレーション (D8h) 1.9.13. Erase Subsectorオペレーション（20h） 1.9.14. Read SFDP Registerオペレーション (5Ah)
1.11. タイミング情報 x
1.11.1. 書き込み操作のタイミング図 1.11.2. 読み出し操作のタイミング図
1. EPCQ-Aシリアル・コンフィグレーション・デバイス ユーザーガイド

1.11.1. 書き込み操作のタイミング図

図 20. 書き込み操作のタイミング図


表 24.  書き込み操作パラメーター
シンボル パラメーター 最小値 典型的 最大値 単位
fWCLK 書き込みイネーブル、書き込みディスエーブル、読み出しステータス、シリコンID 読み出し、書き込みバイト、一括消去、およびセクター消去操作用の書き込みクロック周波数（FPGA、ダウンロード・ケーブル、またはエンベデッド・プロセッサーより） — — 100 MHz
tCH EPCQ4AのDCLK Highタイム 4 — — ns
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128AのDCLK Highタイム 3.4
tCL EPCQ4AのDCLK Lowタイム 4 — — ns
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128AのDCLK Lowタイム 3.4
tNCSSU EPCQ4Aのチップセレクト（nCS）アクティブ・セットアップ・タイム 5 — — ns
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128Aのチップセレクト（nCS）アクティブ・セットアップ・タイム 3 — — ns
tNCSH EPCQ4Aのチップセレクト（nCS）非アクティブ・ホールド・タイム 5 — — ns
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128Aのチップセレクト（nCS）非アクティブ・ホールド・タイム 3 — — ns
tNCSSU2 EPCQ4Aのチップセレクト（nCS）非アクティブ・セットアップ・タイム 5 — — ns
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128Aのチップセレクト（nCS）非アクティブ・セットアップ・タイム 3 — — ns
tNCSH2 EPCQ4Aのチップセレクト（nCS）アクティブ・ホールド・タイム 5 — — ns
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128Aのチップセレクト（nCS）アクティブ・ホールド・タイム 3 — — ns
tDSU DCLK立ち上がりエッジ前のデータ（ASDI）セットアップ時間 2 — — ns
tSU DCLKの立ち上がりエッジ後のデータ・ホールド時間 5 — — ns
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128Aに向けたDCLKの立ち上がりエッジ後のDATA[]ホールドタイム 3
tCSH チップ・セレクト（nCS）High時間 100 — — ns
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128Aのチップセレクト（nCS）Highタイム 10または5010
tWB 11 12 EPCQ4Aデバイスでのバイト書き込みサイクル時間 — 0.4 0.8 ms
EPCQ16Aデバイスでのバイト書き込みサイクル時間 0.4 3
EPCS128デバイスでのバイト書き込みサイクル時間 0.7 3
EPCQ64Aデバイスでのバイト書き込みサイクル時間 0.8 3
tSU ステータス書き込みサイクル時間 — 10 15 ms
tSU EPCQ4Aデバイスでの一括消去サイクル時間 — 1 4 s
EPCQ16Aデバイスでの一括消去サイクル時間 5 25
EPCQ32Aデバイスでの一括消去サイクル時間 10 50
EPCQ64Aデバイスでの一括消去サイクル時間 20 100
EPCQ128Aデバイスでの一括消去サイクル時間 40 200
tSU EPCQ4Aデバイスでのセクタ消去サイクル時間 — 150 1000 ms
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128Aデバイスでのセクタ消去サイクル時間 2000
tESS 11 EPCQ4AのErase Subsectorサイクルタイム — 30 300 ms
EPCQ16A、EPCQ32A、EPCQ64A、およびEPCQ128Aデバイスでのセクタ消去サイクル時間 45 400
10 Readに対しては10 nsで、Write、Erase、Programに対しては50 nsです。
11 Writeオペレーションのタイミング図では、これらのパラメーターは示されていません。
12 tWBパラメーターは、完全なページWriteオペレーション用です。
レベル 2 の表題