インテルのみ表示可能 — GUID: bua1499235447190
Ixiasoft
1.9.1. Read Bytesオペレーション(03h)
1.9.2. Fast Readオペレーション(0Bh)
1.9.3. Extended Dual Input Fast Readオペレーション (BBh)
1.9.4. Extended Quad Input Fast Readオペレーション（EBh）
1.9.5. デバイス識別子読み出し操作
1.9.6. Read Silicon Identificationオペレーション（ABh）
1.9.7. 書き込みイネーブル操作
1.9.8. Write Disableオペレーション (04h)
1.9.9. Write Bytesオペレーション (02h)
1.9.10. Quad Input Fast Write Bytesオペレーション（32h）
1.9.11. 一括消去操作完了時
1.9.12. Erase Sectorオペレーション (D8h)
1.9.13. Erase Subsectorオペレーション（20h）
1.9.14. Read SFDP Registerオペレーション (5Ah)
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1.9.13. Erase Subsectorオペレーション（20h）
Erase Subsectorオペレーションは、サブセクター内のすべてのビットを1または0xFFに設定することで、EPCQ-Aデバイス内の特定のサブセクターを消去することを可能とします。このオペレーションは、アプリケーション内の未使用のサブセクターに汎用メモリーとしてアクセスしたい場合に便利です。Erase Subsectorオペレーションの前にWrite Enableオペレーションを実行する必要があります。
Erase Subsectorオペレーションを実行する場合、オペレーション・コードを最初にシフトインする必要があり、それにDATA0ピンで選択したサブセクターの3バイトアドレス（A[23..0]）が続きます。Erase Subsectorオペレーションのこの3バイトアドレスは、指定したサブセクター内の任意のアドレスにすることが可能です。サブセクターのアドレス範囲の詳細については、下記の関連情報を参照してください。Erase Subsectorオペレーションの8番目のビットがラッチインされた後、nCS信号をHighに駆動します。
図 18. セクター消去操作のタイミング図
デバイスは、nCS信号がHighに駆動された直後にセルフタイムのErase Subsectorサイクルを開始します。セルフタイムのErase Subsectorサイクルタイムの詳細については、下記の関連情報を参照してください。メモリーの別のページが書き込まれる前に、この遅延を考慮する必要があります。あるいは、セルフタイムのErase サイクルの進行中にRead Statusオペレーションを実行することで、ステータスレジスターのWrite In Progressビットを確認することも可能です。セルフタイムのEraseサイクル中のWrite In Progressビットは1に設定され、それが完了すると0に設定されます。ステータスレジスターのWrite enable latchビットは、セルフタイムのEraseサイクルが完了する前に0に設定されます。