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1.5.1. サポートされているデバイスとシグナリング
1.5.2. HSPICEシミュレーション・キットへのアクセス
1.5.3. HSPICEシミュレーションにおけるダブルカウント問題
1.5.4. HSPICE Writerツールのフロー
1.5.5. HSPICEシミュレーションの実行
1.5.6. 出力シミュレーションの結果の解釈
1.5.7. 入力シミュレーションの結果の解釈
1.5.8. 表形式のシミュレーション結果の表示および解釈
1.5.9. グラフ形式のシミュレーション結果の表示
1.5.10. HSPICEシミュレーションに基づいたデザインの調整
1.5.11. I/O HSPICEシミュレーション・デッキのサンプル入力
1.5.12. I/O HSPICEシミュレーション・デッキのサンプル出力
1.5.13. 高度なトピック
1.5.12.1. Header Comment
1.5.12.2. Simulation Conditions
1.5.12.3. Simulation Options
1.5.12.4. Constant Definition
1.5.12.5. I/O Buffer Netlist
1.5.12.6. Drive Strength
1.5.12.7. スルーレートと遅延チェーン
1.5.12.8. I/O Buffer Instantiation
1.5.12.9. Board and Trace Termination (ボードおよびトレース終端)
1.5.12.10. Double-Counting Compensation Circuitry (ダブルカウント補正回路)
1.5.12.11. Simulation Analysis
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1.4.1. IBISモデルの要素
IBISモデルファイル ( .ibs ) は、指定したテスト負荷での最小、標準、最大温度および電圧範囲でのI/Oバッファーの動作を記述するテキストファイルです。
IBISファイルで指定したテーブルおよび値は、I/Oバッファーの5つの基本要素を示します。
図 2. IBISモデルにおけるI/Oバッファーの5つの基本要素
次の要素は、それぞれの番号がつけられたブロックに対応します。
- プルダウン - 電圧-電流テーブルは、–VCCから2 VCCのプルダウン電圧範囲を基にバッファーがLowで駆動される場合の電流を表します。
- プルアップ - 電圧-電流テーブルは、–VCCからVCCのプルアップ電圧範囲を基にバッファーがHighで駆動される場合の電流を表します。
- グランドおよび電力クランプ - 電圧-電流テーブルは、静電気放電 (ESD) に向けたクランプダイオードが存在する際の電流を示します。グランドクランプ電圧の範囲は –VCCからVCCで、電力クランプ電圧の範囲は –VCCからグランドです。
- ランプおよび立ち上がり/立ち下がり波形 - 電圧-時間 (dv/dt) 比は、ロジック遷移中のバッファーの立ち上がりおよび立ち下がり時間を表します。オプションの立ち上がりおよび立ち下がり波形テーブルを追加すれば、立ち上がりおよび立ち下がり遷移の特徴をより正確に記述することができます。
- 総出力容量とパッケージRLC - 総出力容量には、出力パッド、クランプダイオード (存在する場合)、および入力トランジスターの寄生容量が含まれます。パッケージRLCはデバイスパッケージ固有のもので、I/Oのピンおよびボンディング・ワイヤーの抵抗、インダクタンス、容量を定義します。