インテルのみ表示可能 — GUID: mwh1410471133548
Ixiasoft
1.5.1. サポートされているデバイスとシグナリング
1.5.2. HSPICEシミュレーション・キットへのアクセス
1.5.3. HSPICEシミュレーションにおけるダブルカウント問題
1.5.4. HSPICE Writerツールのフロー
1.5.5. HSPICEシミュレーションの実行
1.5.6. 出力シミュレーションの結果の解釈
1.5.7. 入力シミュレーションの結果の解釈
1.5.8. 表形式のシミュレーション結果の表示および解釈
1.5.9. グラフ形式のシミュレーション結果の表示
1.5.10. HSPICEシミュレーションに基づいたデザインの調整
1.5.11. I/O HSPICEシミュレーション・デッキのサンプル入力
1.5.12. I/O HSPICEシミュレーション・デッキのサンプル出力
1.5.13. 高度なトピック
1.5.12.1. Header Comment
Header Commentブロック
1.5.12.2. Simulation Conditions
1.5.12.3. Simulation Options
1.5.12.4. Constant Definition
1.5.12.5. I/O Buffer Netlist
1.5.12.6. Drive Strength
1.5.12.7. スルーレートと遅延チェーン
1.5.12.8. I/O Buffer Instantiation
1.5.12.9. Board and Trace Termination (ボードおよびトレース終端)
1.5.12.10. Double-Counting Compensation Circuitry (ダブルカウント補正回路)
1.5.12.11. Simulation Analysis
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1.5.12.1. Header Comment
出力シミュレーションSPICEデッキの最初のブロックが、Header Commentです。このブロックの目的は、シミュレーション・ファイルが インテル® Quartus® Prime開発ソフトウェアによって自動的にどのようにコンフィグレーションされたのかを判読できるようにすることです。
このブロックは、2つの主要なコンポーネントから構成されています。
- 最初のコンポーネントは、デバイスやスピードグレードなどのI/Oコンフィグレーションに関連する情報をまとめたものです。
- 2つ目のコンポーネントは、 インテル® Quartus® Prime開発ソフトウェアがtCO遅延数を生成する際に想定する正確なテスト条件を指定します。この情報は、シミュレーション・ファイルに含まれるダブルカウント補正回路の一部として使用されます。
SPICEデッキは、低速のプロセスコーナー遅延を計算するよう事前にコンフィグレーションされていますが、高速プロセスコーナーのシミュレートにも使用できます。高速コーナーの条件は、notesセクションのヘッダーに表示されます。
Header Comment最後のセクションには、SPICEデッキを使用する際に考慮する必要のある警告メッセージが記載されています。
Header Commentブロック
* Intel Quartus Prime HSPICE Writer I/O Simulation Deck * * This spice simulation deck was automatically generated by * Intel Quartus Prime for the following IO settings: * * Device: EP2S60F1020C3 * Speed Grade: C3 * Pin: AA4 (out96) * Bank: IO Bank 6 (Row I/O) * I/O Standard: LVTTL, 12mA * OCT: Off * * Quartus’ default I/O timing delays assume the following slow * corner simulation conditions. * Specified Test Conditions For Intel Quartus Prime Tco * Temperature: 85C (Slowest Temperature Corner) * Transistor Model: TT (Typical Transistor Corner) * Vccn: 3.135V (Vccn_min = Nominal - 5%) * Vccpd: 2.97V (Vccpd_min = Nominal - 10%) * Load: No Load * Vtt: 1.5675V (Voltage reference is Vccn/2) * For C3 devices, the TT transistor corner provides an * approximation for worst case timing. However, for functionality * simulations, it is recommended that the SS corner be simulated * as well. * * Note: The I/O transistors are specified to operate at least as * fast as the TT transistor corner, actual production * devices can be as fast as the FF corner. Any simulations * for hold times should be conducted using the fast process * corner with the following simulation conditions. * Temperature: 0C (Fastest Commercial Temperature Corner **) * Transistor Model: FF (Fastest Transistor Corner) * Vccn: 1.98V (Vccn_hold = Nominal + 10%) * Vccpd: 3.63V (Vccpd_hold = Nominal + 10%) * Vtt: 0.95V (Vtt_hold = Vccn/2 - 40mV) * Vcc: 1.25V (Vcc_hold = Maximum Recommended) * Package Model: Short-circuit from pad to pin * Warnings: