インテル® Arria® 10デバイス・データシート

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ID 683771
日付 6/26/2020
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
インテル® Arria® 10 デバイス・データシート
インテル® Arria® 10 デバイス・データシート x
電気的特性 スイッチング特性 コンフィグレーションの仕様 I/Oタイミング プログラマブルIOE遅延 用語集 インテル® Arria® 10デバイス・データシートの改訂履歴
電気的特性 x
動作条件
動作条件 x
絶対最大定格 最大許容オーバーシュートおよびアンダーシュート電圧 推奨動作条件 DC特性 I/O規格の仕様
推奨動作条件 x
推奨動作条件 トランシーバー電源の動作条件 HPS電源の動作条件
DC特性 x
電源電流および消費電力 I/Oピンのリーク電流 バスホールド特性 OCTキャリブレーション精度の仕様 キャリブレーションなしOCTの抵抗許容値の仕様 ピン・キャパシタンス 内部ウィークプルアップおよびウィークプルダウン抵抗
I/O規格の仕様 x
シングルエンドI/O規格の仕様 シングルエンドSSTL、HSTL、およびHSUL I/Oリファレンス電圧の仕様 シングルエンドSSTL、HSTL、およびHSUL I/O規格信号の仕様 差動SSTL I/O規格の仕様 差動HSTLおよびHSUL I/O規格の仕様 差動I/O規格の仕様
スイッチング特性 x
トランシーバー・パフォーマンスの仕様 コア・パフォーマンスの仕様 ペリフェラル・パフォーマンスの仕様 HPSの仕様
トランシーバー・パフォーマンスの仕様 x
インテル® Arria® 10 GX/SXデバイス用のトランシーバー・パフォーマンス インテル® Arria® 10 GX/SXデバイス用の高速シリアル・トランシーバー‐ファブリック間インターフェイスのパフォーマンス インテル® Arria® 10 GTデバイス用のトランシーバー・パフォーマンス インテル® Arria® 10 GTデバイス用の高速シリアル・トランシーバー-ファブリック間インターフェイスのパフォーマンス インテル® Arria® 10 GX、SX、およびGTデバイス用のトランシーバーの仕様
コア・パフォーマンスの仕様 x
クロックツリーの仕様 PLLの仕様 DSPブロックの仕様 メモリーブロックの仕様 温度検知ダイオードの仕様 内部電圧センサーの仕様
PLLの仕様 x
フラクショナルPLLの仕様 I/O PLLの仕様
温度検知ダイオードの仕様 x
内部温度検知ダイオードの仕様 外部温度検知ダイオードの仕様
ペリフェラル・パフォーマンスの仕様 x
高速I/Oの仕様 DPAロック時間の仕様 LVDSソフトCDR/DPA正弦ジッター許容値の仕様 ハード・メモリー・コントローラーでサポートされているメモリー規格 ソフト・メモリー・コントローラーでサポートされているメモリー規格 HPSハード・メモリー・コントローラーでサポートされているメモリー規格 DLL周波数範囲の仕様 DQSロジックブロックの仕様 メモリー出力クロックジッターの仕様 OCTキャリブレーション・ブロックの仕様
HPSの仕様 x
HPSリセット入力の要件 HPSクロックのパフォーマンス HPS PLLの仕様 Quad SPIフラッシュのタイミング特性 SPIタイミングの特性 SD/MMCのタイミング特性 USB ULPIのタイミング特性 Ethernet Media Access Controller (EMAC) のタイミング特性 I2Cのタイミング特性 NANDのタイミング特性 トレースのタイミング特性 GPIOインターフェイス
HPS PLLの仕様 x
HPS PLL入力の要件 HPS PLLのパフォーマンス HPS PLL出力の仕様
コンフィグレーションの仕様 x
PORの仕様 JTAGコンフィグレーションのタイミング FPPコンフィグレーションのタイミング ASコンフィグレーションのタイミング ASコンフィグレーション・スキームでのDCLK周波数の仕様 PSコンフィグレーションのタイミング 初期化 コンフィグレーション・ファイル 最小コンフィグレーション時間の見積もり リモート・システム・アップグレード ユーザー・ウォッチドッグ内部回路のタイミング仕様
FPPコンフィグレーションのタイミング x
FPPコンフィグレーションのDCLK-to-DATA[] 比率 (r) DCLK-to-DATA[] = 1の場合のFPPコンフィグレーションのタイミング DCLK-to-DATA[] 比率が>1の場合のFPPコンフィグレーション・タイミング
インテル® Arria® 10 デバイス・データシート

最大許容オーバーシュートおよびアンダーシュート電圧

過渡状態時に入力信号は次の表に示す電圧までのオーバーシュートが可能であり、また、入力電流が100 mA未満で期間が20 ns未満の場合、-2.0 Vまでアンダーシュートすることが可能です。

許容されるオーバーシュートの期間は、デバイス寿命におけるHigh時間のパーセンテージとして指定されています。DC信号は、100%のデューティー・サイクルと等しくなります。

例えば、LVDS I/Oで2.70 Vにオーバーシュートする信号であれば、デバイス寿命全体で～4%しか2.70 Vにありません。

表 2.   インテル® Arria® 10デバイスの遷移中の最大許容オーバーシュートこの表は、最大許容入力オーバーシュート電圧とオーバーシュート電圧の持続時間をデバイス寿命のパーセンテージで示しています。LVDS I/O値は、VREFP_ADC ピンおよび VREFN_ADC I/Oピンに適用可能です。
シンボル 説明 条件 (V) TJでの%としてのオーバーシュート期間 = 100°C 単位
LVDS I/O 7 3 V I/O
Vi (AC) AC入力電圧 2.50 3.80 100 %
2.55 3.85 42 %
2.60 3.90 18 %
2.65 3.95 9 %
2.70 4.00 4 %
> 2.70 > 4.00 オーバーシュート不可 %

2.5 Vのオーバーシュートの場合、オーバーシュートが発生するHigh時間のパーセンテージは、10年間で100%にもなる可能性があります。High時間のパーセンテージは、([delta T]/T) × 100として計算されます。この10年間は、デバイスが常に100%のI/Oトグルレートと50%のデューティー・サイクル信号でオンになっていると想定しています。

図 1.  インテル® Arria® 10デバイスのオーバーシュート期間
7 LVDS I/O値は、全ての専用および兼用コンフィグレーションI/Oに適用可能です。
レベル 2 の表題