インテル® Arria® 10デバイス・データシート

ID 683771
日付 6/26/2020
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ドキュメント目次

推奨動作条件

表 3.   インテル® Arria® 10デバイスの推奨動作条件この表には、 インテル® Arria® 10デバイスから期待される定常状態の電圧値が示されています。電源ランプはすべて平坦ではなく、厳密に単調である必要があります。
シンボル 説明 条件 最小値  8 標準値 最大値 8 単位
VCC コア電源電圧 標準および低電力 9 0.87 0.9 0.93 V
0.92 0.95 0.98 V
SmartVID 10 0.82 0.93 V
VCCP ペリフェラル回路およびトランシーバー・ファブリック・インターフェイスの電源 標準および低電力 9 0.87 0.9 0.93 V
0.92 0.95 0.98 V
SmartVID 10 0.82 0.93 V
VCCPGM コンフィグレーション・ピン電源 1.8 V 1.71 1.8 1.89 V
1.5 V 1.425 1.5 1.575 V
1.2 V 1.14 1.2 1.26 V
VCCERAM エンベデッド・メモリー電源 0.9 V 9 0.87 0.9 0.93 V
0.95 V 9 0.92 0.95 0.98 V
VCCBAT 11 バッテリー・バックアップ電源電圧 (デザイン・セキュリティー揮発性キーレジスター用) 1.14 1.89 V
VCCPT プログラマブル・パワー・テクノロジーおよびI/Oプリドライバー用の電源 1.8 V 1.71 1.8 1.89 V
VCCIO I/Oバッファー電源 3.0 V (3 V I/Oのみ) 2.85 3.0 3.15 V
2.5 V (3 V I/Oのみ) 2.375 2.5 2.625 V
1.8 V 1.71 1.8 1.89 V
1.5 V 1.425 1.5 1.575 V
1.35 V 12 1.35 12 V
1.25 V 1.19 1.25 1.31 V
1.2 V 12 1.2 12 V
VCCA_PLL PLL用アナログ電圧レギュレーター電源 1.71 1.8 1.89 V
VREFP_ADC 電圧センサー用の高精度電圧リファレンス 1.2475 1.25 1.2525 V
VI 13 14 DC入力電圧 3 V I/O -0.3 3.3 V
LVDS I/O -0.3 2.19 V
VO 出力電圧 0 VCCIO V
TJ 動作接合温度 拡張 0 100 °C
工業用 -40 100 °C
tRAMP 15 電源ランプ時間 標準POR 200 µs 100 ms
高速POR 200 µs 4 ms
8 この値は、DC (スタティック) 電源電圧に対するバジェットを表しており、この値には動的許容要件は含まれていません。動的許容要件に対する追加バジェットについては、PDNツールを参照してください。
9 -1および-2スピードグレードのデバイスは、0.9 Vまたは0.95 Vの標準値で動作できます。-3スピードグレードのデバイスは、0.9 Vの標準値でのみ動作できます。0.95 Vで動作させると、コア・パフォーマンスが高くなり、消費電力も多くなります。さまざまな標準値については、このデータシートのコア・パフォーマンスを参照してください。さまざまな標準値の消費電力の詳細については、 インテル® Quartus® Prime開発ソフトウェア、Power AnalyzerレポートおよびEarly Power Estimator (EPE) を参照してください。
10 SmartVID は、–3Vスピードグレードのデバイスでのみサポートされます。
11 インテル® Arria® 10デバイスでデザイン・セキュリティー機能を使用しない場合は、VCCBATを1.5V~1.8Vの電源に接続してください。 インテル® Arria® 10パワーオンリセット (POR) 回路がVCCBATを監視します。VCCBATがパワーアップされていない場合、 インテル® Arria® 10デバイスはPORを終了しません。
12 最小および最大電圧値については、I/O規格の仕様の項を参照してください。
13 LVDS I/O値は、すべての専用およびデュアル機能コンフィグレーションI/Oに適用されます。
14 この値は、入力コンフィグレーションおよびトライステート出力コンフィグレーションの両方に適用されます。ピン電圧は、外部から最大値よりHighに引き上げないでください。
15 trampは、個々の電源供給のランプ時間であり、すべての組み合わせた電源供給のランプ時間ではありません。