MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド

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ID 683431
日付 2/21/2017
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. MAX® 10エンベデッド・メモリーの概要 2. MAX® 10エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのデザイン検討事項 4. RAM: 1-PORT IP コア・リファレンス 5. RAM: 2-PORT IP コア・リファレンス 6. ROM: 1-PORT IPコア・リファレンス 7. ROM: 2-PORT IPコア・リファレンス 8. シフトレジスター（RAMベース）IP コア・リファレンス 9. FIFO IPコア・リファレンス 10. ALTMEMMULT IPコア・リファレンス 11. MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの追加情報
2. MAX® 10エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 x
2.1. MAX® 10エンベデッド・メモリーの一般的な機能 2.2. MAX® 10エンベデッド・メモリーの動作モード 2.3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのクロックモード 2.4. MAX® 10エンベデッド・メモリーの構成
2.1. MAX® 10エンベデッド・メモリーの一般的な機能 x
2.1.1. コントロール信号 2.1.2. パリティービット 2.1.3. リードイネーブル 2.1.4. Read-During-Write 2.1.5. バイトイネーブル 2.1.6. パックモードのサポート 2.1.7. アドレス・クロック・イネーブル・サポート 2.1.8. 非同期クリアー
2.1.5. バイトイネーブル x
2.1.5.1. バイト・イネーブル・コントロール 2.1.5.2. データバイト出力 2.1.5.3. RAMブロックの動作
2.1.7. アドレス・クロック・イネーブル・サポート x
2.1.7.1. 読み取りサイクル中のアドレス・クロック・イネーブルの波形 2.1.7.2. 書き込みサイクル中のアドレス・クロック・イネーブルの波形
2.1.8. 非同期クリアー x
2.1.8.1. M9Kブロックにおけるレジスターのリセット
2.2. MAX® 10エンベデッド・メモリーの動作モード x
2.2.1. サポートされるメモリーの動作モード
2.3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのクロックモード x
2.3.1. クロックモードの非同期クリアー 2.3.2. 同時読み出し/書き込みにおける出力読み出しデータ 2.3.3. クロックモードの独立クロックイネーブル
2.4. MAX® 10エンベデッド・メモリーの構成 x
2.4.1. ポート幅コンフィグレーション 2.4.2. デュアルポート モードでのメモリー・コンフィグレーション 2.4.3. 最大ブロック深度の設定
3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのデザイン検討事項 x
3.1. 外部の競合解決を実装する 3.2. Read-During-Write 動作をカスタマイズする 3.3. パワーアップ状態およびメモリーの初期化 3.4. クロッキングをコントロールして消費電力を削減する 3.5. Read-During-Write 出力の選択
3.2. Read-During-Write 動作をカスタマイズする x
3.2.1. 同一ポートのRead-During-Writeモード 3.2.2. 混合ポートの Read-During-Write モード
3.2.2. 混合ポートの Read-During-Write モード x
3.2.2.1. デュアルクロックを使用する混合ポートのRead-During-Write 動作
4. RAM: 1-PORT IP コア・リファレンス x
4.1. MAX® 10デバイスのRAM: 1-Port IP コア信号 4.2. MAX® 10デバイスのRAM: 1-Port IP コアのパラメーター
5. RAM: 2-PORT IP コア・リファレンス x
5.1. MAX® 10デバイスのRAM: 2-Port IPコア信号（シンプル・デュアル・ポートRAM） 5.2. MAX® 10デバイスのRAM: 2-Port IP コア信号（トゥルー・デュアルポートRAM） 5.3. MAX® 10デバイスのRAM: 2-Port IPコアのパラメーター
6. ROM: 1-PORT IPコア・リファレンス x
6.1. MAX® 10デバイスのROM: 1-PORT IPコア信号 6.2. MAX® 10デバイスのROM: 1-PORT IPコアのパラメーター
7. ROM: 2-PORT IPコア・リファレンス x
7.1. MAX® 10デバイスのROM: 2-PORT IPコア信号 7.2. MAX® 10デバイスのROM: 2-PORT IPコアのパラメーター
8. シフトレジスター（RAMベース）IP コア・リファレンス x
8.1. MAX® 10デバイスのシフトレジスター（RAMベース）IP コア信号 8.2. MAX® 10デバイスのシフトレジスター（RAMベース）IP コアのパラメーター
9. FIFO IPコア・リファレンス x
9.1. MAX® 10デバイスのFIFO IPコア信号 9.2. MAX® 10デバイスのFIFO IPコアのパラメーター
10. ALTMEMMULT IPコア・リファレンス x
10.1. MAX® 10デバイスのALTMEMMULT IPコア信号 10.2. MAX® 10デバイスのALTMEMMULT IPコアのパラメーター
11. MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの追加情報 x
A.1. MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド改訂履歴
1. MAX® 10エンベデッド・メモリーの概要
2. MAX® 10エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能
3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのデザイン検討事項
4. RAM: 1-PORT IP コア・リファレンス
5. RAM: 2-PORT IP コア・リファレンス
6. ROM: 1-PORT IPコア・リファレンス
7. ROM: 2-PORT IPコア・リファレンス
8. シフトレジスター（RAMベース）IP コア・リファレンス
9. FIFO IPコア・リファレンス
10. ALTMEMMULT IPコア・リファレンス
11. MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの追加情報

2.4.3. 最大ブロック深度の設定

Set the maximum block depthパラメーターにより、使用する専用メモリーブロックの最大ブロック深度の設定が可能となります。メモリーブロックは必要な最大ブロック深度に分割ができます。たとえば、M9Kブロックの容量が 9,216 ビットの場合、各アドレスが 1 ビット（8K × 1）を保存できるデフォルトのメモリー深度は 8 Kです。最大ブロック深度を 512 に設定する場合、M9Kブロックは 512 の深さに分割され、各アドレスは最大 18 ビット（512 × 18）を保存することができます。

このパラメーターを使用してデバイスにおける消費電力を節約し、使用されるメモリーブロックの数を削減します。ただし、このパラメーターは LE の数を増加させ、デザインの性能に影響を与えることもあります。

RAMが浅くスライスされる場合、ダイナミック消費電力量が減少します。ただし、深度 256 のRAMブロックでは、追加の LE によって使用される電力がより浅いスライスによって得られるパワーゲインを上回ります。

最大ブロック深度は 2 のべき乗である必要があり、有効な値はそれぞれの専用メモリー・ブロックで異なります。

次の表は、M9Kメモリーブロックの最大ブロック深度の有効範囲をリストにしています。

表 7.  M9Kメモリーブロックの最大ブロック深度の有効範囲
メモリーブロック 有効範囲
M9K 256 - 8 K。最大ブロック深度は 2 のべき乗である必要があります。

最大ブロック深度に有効でない値を入力した場合、IP パラメーター・エディターにエラーメッセージが表示されます。Intelは、適切な最大ブロック深度が分からない場合やこの設定がデザインに重要でない場合は、Set the maximum block depthパラメーターの値をAutoに設定することを推奨します。Auto設定はコンパイラをイネーブルし、メモリーの内部メモリーブロックのタイプに適したポート幅コンフィグレーションの最大ブロック深度を選択します。

レベル 2 の表題