MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド

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ID 683431
日付 2/21/2017
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. MAX® 10エンベデッド・メモリーの概要 2. MAX® 10エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのデザイン検討事項 4. RAM: 1-PORT IP コア・リファレンス 5. RAM: 2-PORT IP コア・リファレンス 6. ROM: 1-PORT IPコア・リファレンス 7. ROM: 2-PORT IPコア・リファレンス 8. シフトレジスター（RAMベース）IP コア・リファレンス 9. FIFO IPコア・リファレンス 10. ALTMEMMULT IPコア・リファレンス 11. MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの追加情報
2. MAX® 10エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 x
2.1. MAX® 10エンベデッド・メモリーの一般的な機能 2.2. MAX® 10エンベデッド・メモリーの動作モード 2.3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのクロックモード 2.4. MAX® 10エンベデッド・メモリーの構成
2.1. MAX® 10エンベデッド・メモリーの一般的な機能 x
2.1.1. コントロール信号 2.1.2. パリティービット 2.1.3. リードイネーブル 2.1.4. Read-During-Write 2.1.5. バイトイネーブル 2.1.6. パックモードのサポート 2.1.7. アドレス・クロック・イネーブル・サポート 2.1.8. 非同期クリアー
2.1.5. バイトイネーブル x
2.1.5.1. バイト・イネーブル・コントロール 2.1.5.2. データバイト出力 2.1.5.3. RAMブロックの動作
2.1.7. アドレス・クロック・イネーブル・サポート x
2.1.7.1. 読み取りサイクル中のアドレス・クロック・イネーブルの波形 2.1.7.2. 書き込みサイクル中のアドレス・クロック・イネーブルの波形
2.1.8. 非同期クリアー x
2.1.8.1. M9Kブロックにおけるレジスターのリセット
2.2. MAX® 10エンベデッド・メモリーの動作モード x
2.2.1. サポートされるメモリーの動作モード
2.3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのクロックモード x
2.3.1. クロックモードの非同期クリアー 2.3.2. 同時読み出し/書き込みにおける出力読み出しデータ 2.3.3. クロックモードの独立クロックイネーブル
2.4. MAX® 10エンベデッド・メモリーの構成 x
2.4.1. ポート幅コンフィグレーション 2.4.2. デュアルポート モードでのメモリー・コンフィグレーション 2.4.3. 最大ブロック深度の設定
3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのデザイン検討事項 x
3.1. 外部の競合解決を実装する 3.2. Read-During-Write 動作をカスタマイズする 3.3. パワーアップ状態およびメモリーの初期化 3.4. クロッキングをコントロールして消費電力を削減する 3.5. Read-During-Write 出力の選択
3.2. Read-During-Write 動作をカスタマイズする x
3.2.1. 同一ポートのRead-During-Writeモード 3.2.2. 混合ポートの Read-During-Write モード
3.2.2. 混合ポートの Read-During-Write モード x
3.2.2.1. デュアルクロックを使用する混合ポートのRead-During-Write 動作
4. RAM: 1-PORT IP コア・リファレンス x
4.1. MAX® 10デバイスのRAM: 1-Port IP コア信号 4.2. MAX® 10デバイスのRAM: 1-Port IP コアのパラメーター
5. RAM: 2-PORT IP コア・リファレンス x
5.1. MAX® 10デバイスのRAM: 2-Port IPコア信号（シンプル・デュアル・ポートRAM） 5.2. MAX® 10デバイスのRAM: 2-Port IP コア信号（トゥルー・デュアルポートRAM） 5.3. MAX® 10デバイスのRAM: 2-Port IPコアのパラメーター
6. ROM: 1-PORT IPコア・リファレンス x
6.1. MAX® 10デバイスのROM: 1-PORT IPコア信号 6.2. MAX® 10デバイスのROM: 1-PORT IPコアのパラメーター
7. ROM: 2-PORT IPコア・リファレンス x
7.1. MAX® 10デバイスのROM: 2-PORT IPコア信号 7.2. MAX® 10デバイスのROM: 2-PORT IPコアのパラメーター
8. シフトレジスター（RAMベース）IP コア・リファレンス x
8.1. MAX® 10デバイスのシフトレジスター（RAMベース）IP コア信号 8.2. MAX® 10デバイスのシフトレジスター（RAMベース）IP コアのパラメーター
9. FIFO IPコア・リファレンス x
9.1. MAX® 10デバイスのFIFO IPコア信号 9.2. MAX® 10デバイスのFIFO IPコアのパラメーター
10. ALTMEMMULT IPコア・リファレンス x
10.1. MAX® 10デバイスのALTMEMMULT IPコア信号 10.2. MAX® 10デバイスのALTMEMMULT IPコアのパラメーター
11. MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの追加情報 x
A.1. MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド改訂履歴
1. MAX® 10エンベデッド・メモリーの概要
2. MAX® 10エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能
3. MAX® 10エンベデッド・メモリーのデザイン検討事項
4. RAM: 1-PORT IP コア・リファレンス
5. RAM: 2-PORT IP コア・リファレンス
6. ROM: 1-PORT IPコア・リファレンス
7. ROM: 2-PORT IPコア・リファレンス
8. シフトレジスター（RAMベース）IP コア・リファレンス
9. FIFO IPコア・リファレンス
10. ALTMEMMULT IPコア・リファレンス
11. MAX 10 エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの追加情報

3.2.1. 同一ポートのRead-During-Writeモード

同一ポートのRead-During-Write モードは、シングルポートRAMまたはトゥルー・デュアルポートRAMの同一ポートに適用します。

表 8.  同一ポートRead-During-Write モードでのエンベデッド・メモリー・ブロックの出力モード次の表は、同一ポートRead-During-Write モードのエンベデッド・メモリー・ブロックを選択する場合に使用可能な出力モードをリストしています。
出力モード 説明
"new data"

（フロースルー）

 新しいデータは、新しいデータが書き込まれる同じクロックサイクルの立ち上がりエッジで使用できます。

New Dataモードとバイトイネーブルを併用すると、RAMの出力を制御できます。

  • バイトイネーブルがHighのとき、メモリに書き込まれたデータは出力（フロースルー）に送られます。
  • バイトイネーブルがLowのとき、マスクされたデータはメモリーに書き込まれず、メモリの古いデータが出力に表示されます。

.したがって、出力はbyteenaによって決定された新しいデータと古いデータの組み合わせになります。

"don't care"

 RAM出力は書き込み動作を進める前に、そのアドレスにある古いデータを反映します。
図 8. 同一ポートの Read-During-Write：New Data モード
図 9. 同一ポートの Read-During-Write: Old Data モード
レベル 2 の表題