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3.1. ガイドライン:VCCIO範囲における検討事項
3.2. ガイドライン: 電圧リファレンスのI/O規格に関する制約
3.3. ガイドライン:LVTTL / LVCMOS入力バッファのクランプ・ダイオードを有効にする
3.4. ガイドライン: LVDSのI/O制約規則に対する準拠
3.5. ガイドライン:I/O制約のルール
3.6. ガイドライン:アナログ-デジタル・コンバータのI/O制約
3.7. ガイドライン: 外部メモリー・インターフェイスのI/Oに関する制約
3.8. ガイドライン:兼用コンフィグレーション・ピン
3.9. ガイドライン: MAX® 10 E144パッケージのクロックおよびデータ入力信号
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2.2.1. MAX® 10 I/Oバンクのアーキテクチャ
I/Oエレメントは、各I/Oバンクに4つのモジュールのグループで配置されています。
- 高速DDR3 I/Oバンク — さまざまなI/O規格とDDR3を含むプロトコルをサポートします。これらのI/Oバンクはデバイスの右側でのみ使用可能です。
- 高速I/Oバンク — さまざまなI/O規格とDDR3を除くプロトコルをサポートします。これらのI/Oバンクはデバイスの上側、左側、下側で使用可能です。
- 低速I/Oバンク — デバイスの左上に配置されている低速のI/Oバンクです。
I/Oピンのサポートについて詳しくは、使用しているデバイスのピンアウト・ファイルを参照してください。