インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド

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ID 683241
日付 4/25/2022
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーの概要 2. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 3. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 4. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーIPのリファレンス 5. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのデバッグ 6. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドのアーカイブ 7. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの改訂履歴
1. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーの概要 x
1.1. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーの機能
2. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 x
2.1. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイト・イネーブル 2.2. アドレス・クロック・イネーブルのサポート 2.3. 非同期クリアと同期クリア 2.4. メモリーブロックの誤り訂正コード (ECC) のサポート 2.5. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのクロックモード 2.6. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのコンフィグレーション 2.7. Force-to-Zero 2.8. コヒーレント読み出しメモリー 2.9. フリーズロジック 2.10. トゥルー・デュアルポートのデュアルクロック・エミュレーター 2.11. 読み出しアドレスレジスターと書き込みアドレスレジスターの初期値 2.12. M20Kブロックのタイミングまたは消費電力最適化の機能 2.13. インテル® Agilex™ でサポートされるエンベデッド・メモリーIP
2.1. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイト・イネーブル x
2.1.1. バイト・イネーブル制御 2.1.2. データバイト出力 2.1.3. バイト・イネーブルの動作
2.4. メモリーブロックの誤り訂正コード (ECC) のサポート x
2.4.1. パリティービット 2.4.2. ECCのパリティーフリップ 2.4.3. ECC Read-During-Writeの動作 2.4.4. 誤り訂正コードの真理値
2.5. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのクロックモード x
2.5.1. シングル・クロック・モード 2.5.2. 読み出し/書き込みクロックモード 2.5.3. 入力/出力クロックモード 2.5.4. クロックモードにおける非同期/同期クリア 2.5.5. 同時読み出し/書き込みにおける出力読み出しデータ 2.5.6. クロックモードにおける独立したクロックイネーブル
2.6. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのコンフィグレーション x
2.6.1. 混合幅のポート・コンフィグレーション
2.8. コヒーレント読み出しメモリー x
2.8.1. 転送ロジック
3. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 x
3.1. メモリーブロックの選択についての考慮事項 3.2. 同時読み出し動作についての考慮事項 3.3. Read-During-Write動作のカスタマイズ 3.4. 電源投入時の状態とメモリーの初期化についての考慮事項 3.5. 消費電力の削減 3.6. 非決定的な入力の使用に関する制約 3.7. クロック信号と他の制御信号の同時変更に関する制約 3.8. インテル® Quartus® Prime開発ソフトウェアにおけるメモリーの高度な設定
3.3. Read-During-Write動作のカスタマイズ x
3.3.1. 同一ポートのRead-During-Writeモード 3.3.2. 混合ポートのRead-During-Writeモード
4. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーIPのリファレンス x
4.1. オンチップメモリーRAM/ROMインテルFPGA IPコア 4.2. eSRAM Intel Agilex FPGA IP 4.3. FIFO Intel FPGA IP 4.4. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IP
4.1. オンチップメモリーRAM/ROMインテルFPGA IPコア x
4.1.1. RAM/ROMインテルFPGA IPのリリース情報 4.1.2. RAM: 1-PORT Intel® FPGA IPのパラメーター 4.1.3. RAM: 2-PORT Intel® FPGA IPのパラメーター 4.1.4. RAM: 4-PORT Intel® FPGA IPのパラメーター 4.1.5. ROM: 1-PORT Intel® FPGA IPのパラメーター 4.1.6. ROM: 2-PORT Intel® FPGA IPのパラメーター 4.1.7. パラメーター設定の手動変更 4.1.8. RAMおよびROMのインターフェイス信号
4.1.7. パラメーター設定の手動変更 x
4.1.7.1. RAMおよびROMのパラメーター設定
4.2. eSRAM Intel Agilex FPGA IP x
4.2.1. eSRAM Intel Agilex FPGA IPのリリース情報 4.2.2. eSRAMシステムの機能 4.2.3. eSRAM Intel Agilex FPGA IPのパラメーター 4.2.4. eSRAM Intel Agilex FPGA IPのインターフェイス信号 4.2.5. eSRAMのタイミング図
4.2.2. eSRAMシステムの機能 x
4.2.2.1. eSRAMの仕様
4.3. FIFO Intel FPGA IP x
4.3.1. FIFO Intel® FPGA IPのリリース情報 4.3.2. コンフィグレーション方法 4.3.3. 仕様 4.3.4. FIFOの機能におけるタイミング要件 4.3.5. SCFIFOのALMOST_EMPTY機能のタイミング 4.3.6. FIFOの出力ステータスフラグとレイテンシー 4.3.7. FIFOの準安定状態の保護および関連オプション 4.3.8. FIFOの同期クリアと非同期クリアの影響 4.3.9. SCFIFOおよびDCFIFOのShow-aheadモード 4.3.10. 異なる入力幅と出力幅 4.3.11. DCFIFOのタイミング制約の設定 4.3.12. 手動インスタンス化のコーディング例 4.3.13. デザイン例 4.3.14. クロック・ドメイン・クロッシングでのグレイコード・カウンター転送 4.3.15. エンベデッド・メモリーのECC機能に関するガイドライン 4.3.16. FIFO Intel® FPGA IPのパラメーター 4.3.17. リセットスキーム
4.3.3. 仕様 x
4.3.3.1. Verilog HDLプロトタイプ 4.3.3.2. VHDLのコンポーネント宣言 4.3.3.3. VHDLのLIBRARY-USE宣言 4.3.3.4. FIFOの信号 4.3.3.5. FIFOのパラメーター設定
4.3.8. FIFOの同期クリアと非同期クリアの影響 x
4.3.8.1. DCFIFOコンパイル時の回復と削除のタイミング違反警告
4.3.11. DCFIFOのタイミング制約の設定 x
4.3.11.1. 組み込みタイミング制約 4.3.11.2. ユーザーでコンフィグレーション可能なタイミング制約
4.3.11.2. ユーザーでコンフィグレーション可能なタイミング制約 x
4.3.11.2.1. SDCコマンド
4.4. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IP x
4.4.1. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IPのリリース情報 4.4.2. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IPの機能 4.4.3. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IPの基本的な説明 4.4.4. Shift Register (RAM-based) Intel® FPGA IPのパラメーターの設定 4.4.5. シフト・レジスター・ポートとパラメーターの設定
1. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーの概要
2. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能
3. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項
4. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーIPのリファレンス
5. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリーのデバッグ
6. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドのアーカイブ
7. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの改訂履歴

4.2.2. eSRAMシステムの機能

eSRAMシステムは、同時読み出しおよび書き込み要求の処理、データの整合性および一貫性の確保、電力効率の最大化に向けた機能を提供します。

特定のeSRAMシステムでは、750MHzの最大周波数を達成することができます。利用可能なeSRAMシステムの数は、使用している インテル® Agilex™ デバイスによって異なります。

eSRAMシステム内のすべてのメモリー ポートには、1つの書き込みポートと1つの読み出しポートがあり、同時読み出しおよび書き込み要求を処理することができます。各 ポートでは、独自のバンクにのみアクセスすることができます。それにより、それぞれの ポートが隣接するポートから独立していることを保証します。

eSRAMシステムには誤り訂正コード (ECC) があります。ECCは、ユーザーがアクセスすることができるデータ容量を消費することで 常に有効になっています。ECCでは、書き込みデータを拡張ハミングコードでエンコードし、シングルビット・エラー訂正とダブルビット・エラー検出 (SECDED) に読み出しデータをデコードすることにより、データの整合性を向上させることができます。

Write Forwardingと呼ばれるデータ・コヒーレンシーの機能があります。これを使用すると、同じeSRAMメモリー位置への同時書き込みおよび読み出しアクセスの処理が可能になります。書き込みポートの書き込みデータが読み出しポートに転送され、ターゲットのSRAMバンクからは読み出されません。その後、書き込みデータはターゲットのeSRAMバンクに書き込まれます。


セクションの内容
eSRAMの仕様

レベル 2 の表題