インテル® Agilex™ デバイス・データシート

ID 683301
日付 6/02/2021
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ドキュメント目次

最大許容オーバーシュートおよびアンダーシュート電圧

遷移中は、入力信号が次の表に一覧表示されている電圧までオーバーシュートする場合があります。また、100 mA未満かつ期間が20 ns未満の入力電流に対しては、1.8 VのVCCIO_HPS/ VCCIO_SDMを使用するときは–1.1 Vに、1.2 VのVCCIO_PIOを使用するときには–0.3 Vまでアンダーシュートする場合があります。

VCCIO_PIO = 1.5 Vを使用する場合、1.7 Vを超えるオーバーシュートおよび0 V未満のアンダーシュートは許容されません。

最大許容オーバーシュートの期間は、デバイス寿命全体におけるHigh時間のパーセンテージ (([delta T]/T) × 100として計算) として指定されています。DC信号は、100%のデューティー・サイクルに相当します。

表 5.   インテル® Agilex™デバイスの遷移中の最大許容オーバーシュート (GPIOバンクの1.2 V I/Oの場合)

この表では、最大許容入力オーバーシュート電圧とオーバーシュート電圧の持続時間をデバイス寿命のパーセンテージで一覧表示しています。

仕様ステータスについては、データシートのステータスの表を参照してください。

シンボル 説明 条件 (V) TJにおける%としてのオーバーシュートの期間 = 100°C 単位
Vi (AC) AC入力電圧 VCCIO_PIO + 0.30 100 %
VCCIO_PIO + 0.35 37 %
VCCIO_PIO + 0.40 9 %
VCCIO_PIO + 0.45 3 %
VCCIO_PIO + 0.50 1 %
> VCCIO_PIO + 0.50 オーバーシュートは許容されません。 %
表 6.   インテル® Agilex™デバイスの遷移中の最大許容オーバーシュート (HPSバンクおよびSDM I/Oバンクの1.8 V I/Oの場合)

この表では、最大許容入力オーバーシュート電圧とオーバーシュート電圧の持続時間をデバイス寿命のパーセンテージで一覧表示しています。

仕様ステータスについては、データシートのステータスの表を参照してください。

シンボル 説明 条件 (V) TJにおける%としてのオーバーシュートの期間 = 100°C 単位
Vi (AC) AC入力電圧 VCCIO_SDM + 0.30、VCCIO_HPS + 0.30 100 %
VCCIO_SDM + 0.35、VCCIO_HPS + 0.35 60 %
VCCIO_SDM + 0.40、VCCIO_HPS + 0.40 30 %
VCCIO_SDM + 0.45、VCCIO_HPS + 0.45 20 %
VCCIO_SDM + 0.50、VCCIO_HPS + 0.50 10 %
VCCIO_SDM + 0.55、VCCIO_HPS + 0.55 6 %
>VCCIO_SDM + 0.55、>VCCIO_HPS + 0.55 オーバーシュートは許容されません。 %

例えば、1.26 V VCCIO_PIOで1.2 V I/O規格を使用する場合、1.71 Vにオーバーシュートする信号は、デバイスの寿命全体で約3%の間1.71 Vでしか発生しません。1.56 Vのオーバーシュートの場合、オーバーシュートのHigh時間のパーセンテージは、デバイスの寿命全体で100%にもなる可能性があります。

図 1.  インテル® Agilex™デバイスのオーバーシュート期間の例 (VCCIO_PIO = 1.26 Vでの1.2 V GPIOバンクの場合)