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1. Arria® 10デバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. Arria® 10デバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. Arria® 10デバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. Arria® 10 デバイスにおける I/O と高速 I/O
6. Arria® 10 デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. Arria® 10デバイスにおけるコンフィグレーション、デザイン・セキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. Arria® 10デバイスにおける SEUの緩和
9. Arria® 10デバイスにおける JTAG バウンダリー・スキャン・テスト
10. Arria 10デバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. 改訂履歴
5.7.1. Arria® 10 デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : HPS 共有 I/O バンクでの I/O ピンの使用
5.7.5. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.6. ガイドライン : アルテラ LVDS SERDES IP コアのインスタンス化
5.7.7. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.8. ガイドライン : Arria 10 GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.9. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
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10.5.1. 内部温度センサーダイオード
Arria 10デバイスは、ダイ温度のモニタリングするために、10 ビットの内蔵 ADC 回路を有する内部 TSD をサポートしています。Arria 10デバイスは、NPN トランジスターを使用して温度を検知し、変換のための独自のリファレンス電圧を生成します。内部 TSD の変換速度は、約1 kspsです。
図 183. 内部TSD のブロック図
ユーザーモード時にダイの温度を読み出すには、CORECTL信号を Low から High にアサートします。アクティブ High のRESET信号は、いつでもレジスターをリセットする必要がある際に使用します。ADC 回路は、1 回の変換の完了に 1,024 クロックサイクルを必要とします。EOC信号は、変換の完了を示す 1 クロックサイクル High になります。FPGA コアはEOC信号の立ち下がりエッジでTEMPOUT[9:0]信号のデータを読み出します。
図 184. 内部 TSD のタイミング図