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1. Arria® 10デバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. Arria® 10デバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. Arria® 10デバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. Arria® 10 デバイスにおける I/O と高速 I/O
6. Arria® 10 デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. Arria® 10デバイスにおけるコンフィグレーション、デザイン・セキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. Arria® 10デバイスにおける SEUの緩和
9. Arria® 10デバイスにおける JTAG バウンダリー・スキャン・テスト
10. Arria 10デバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. 改訂履歴
5.7.1. Arria® 10 デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : HPS 共有 I/O バンクでの I/O ピンの使用
5.7.5. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.6. ガイドライン : アルテラ LVDS SERDES IP コアのインスタンス化
5.7.7. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.8. ガイドライン : Arria 10 GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.9. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
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5.5.3.5. プログラマブル・プリエンファシス
ドライバーの V OD 設定と出力インピーダンスは、高速伝送の信号の出力電流制限を設定します。高周波数では、スルーレートが次のエッジの前にフル VODに達するほど高速ではないため、パターンに依存するジッターが発生します。プリエンファシスを適用した場合、スイッチング中に出力電流が瞬時に増幅され、出力スルーレートが増大します。
プリエンファシスは、出力信号の高周波数コンポーネントの振幅を増加させるため、伝送ラインにおける周波数依存の減衰を補償するのに役立ちます。余剰の電流によるオーバーシュートは、信号の反射によるオーバーシュートとは異なり、ステート・スイッチングの変更中にのみ生じ、出力スルーレートを高めます。また、リンギングは起こりません。必要なプリエンファシスの量は、伝送ラインにおける高周波数コンポーネントの減衰によって異なります。
図 82. プログラマブル・プリエンファシス次の図は、プリエンファシスを適用した LVDS 出力を表しています。
フィールド | アサインメント |
---|---|
To | tx_out |
アサインメント名 | プログラマブル・プリエンファシス |
許容値 | 0(ディセーブル)、1(イネーブル)。デフォルトは1 |