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1. Arria® 10デバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. Arria® 10デバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. Arria® 10デバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. Arria® 10 デバイスにおける I/O と高速 I/O
6. Arria® 10 デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. Arria® 10デバイスにおけるコンフィグレーション、デザイン・セキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. Arria® 10デバイスにおける SEUの緩和
9. Arria® 10デバイスにおける JTAG バウンダリー・スキャン・テスト
10. Arria 10デバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. 改訂履歴
5.7.1. Arria® 10 デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : HPS 共有 I/O バンクでの I/O ピンの使用
5.7.5. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.6. ガイドライン : アルテラ LVDS SERDES IP コアのインスタンス化
5.7.7. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.8. ガイドライン : Arria 10 GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.9. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
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5.5.5.1. シングルエンド I/O 終端
電圧リファレンス形式の I/O 規格では、入力 VREFと終端電圧 (VTT) が必要です。受信デバイスのリファレンス電圧 は送信デバイスの終端電圧に追従します。
SSTL-12、SSTL-125、SSTL-135、および SSTL-15 などのようなサポートされる I/O 規格には、通常、外部ボード終端は不要です。
インテルは、これらのI/O規格でOCTを使用してボード・スペースとコストを節約することを推奨しています。 OCTは、使用される外部終端抵抗の数を削減します。
注: RSおよび RT OCT を同時に使用することはできません。詳細については、関連情報を参照してください。
図 90. SSTL I/O 規格の終端
次の図は、 Arria® 10 デバイスにおける差動 SSTL I/O 終端の詳細を示しています。
図 91. HSTL I/O 規格の終端次の図は、 Arria® 10 デバイスにおける HSTL I/O 終端の詳細を示しています。
図 92. POD I/O 規格の終端次の図は、 Arria® 10 デバイスにおける POD I/O 終端の詳細を示しています。
関連情報