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1. Arria® 10デバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. Arria® 10デバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. Arria® 10デバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. Arria® 10 デバイスにおける I/O と高速 I/O
6. Arria® 10 デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. Arria® 10デバイスにおけるコンフィグレーション、デザイン・セキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. Arria® 10デバイスにおける SEUの緩和
9. Arria® 10デバイスにおける JTAG バウンダリー・スキャン・テスト
10. Arria 10デバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. 改訂履歴
5.7.1. Arria® 10 デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : HPS 共有 I/O バンクでの I/O ピンの使用
5.7.5. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.6. ガイドライン : アルテラ LVDS SERDES IP コアのインスタンス化
5.7.7. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.8. ガイドライン : Arria 10 GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.9. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
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8.2. Arria® 10における緩和手法
Arria® 10デバイスは、さまざまなアプリケーション・エリア向けの多様な SEU ( シングル・イベント・アップセット ) 緩和のアプローチを備えています。
エリア | SEU 緩和のアプローチ |
---|---|
シリコンデザイン : CRAM / SRAM / フリップフロップ | インテルは、アップセットの削減や修正可能な 2 ビット・エラーの抑制のために多様なデザイン手法を使用しています。 |
EDCRC ( エラー検出巡回冗長検査 ) / スクラブ | CRAM SEU イベントを検出し、CRAM 内容を自動訂正する EDCRC 機能を活用できます。 |
M20K SRAM ブロック | インテルは、インターリーブ、特別なレイアウト手法、および ECC ( 誤り訂正コード ) を採用しており、SEU FIT レートをほぼ 0 にします。 |
センシティビティー・プロセッシング | センシティビティー・プロセッシングを使用して、SEU が生じたCRAM ビットが使用されているか未使用かを識別します。 |
フォルト・インジェクション | フォルト・インジェクション機能を使用して、CRAM 状態を変更してエラーをトリガーすることで、SEU イベントへのシステムの反応を検証します。 |
階層的タグ付け | センシティビティー・プロセッシングおよびフォルト・インジェクションを補完する機能であり、デザインロジックの特定の部分の SEU レポートおよび注入の制約向けです。 |
トリプル・モジュール・リダンダンシー (TMR) | ステートマシンのようなクリティカルなロジックに、TMR 手法を実装できます。 |