インテル® Arria® 10 コア・ファブリックおよび汎用 I/O ハンドブック

ID 683461
日付 6/21/2017
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ドキュメント目次

8.2. Arria® 10における緩和手法

Arria® 10デバイスは、さまざまなアプリケーション・エリア向けの多様な SEU ( シングル・イベント・アップセット ) 緩和のアプローチを備えています。

表 105.   Arria® 10デバイスにおける SEU 緩和のエリアとアプローチ
エリア SEU 緩和のアプローチ
シリコンデザイン : CRAM / SRAM / フリップフロップ インテルは、アップセットの削減や修正可能な 2 ビット・エラーの抑制のために多様なデザイン手法を使用しています。
EDCRC ( エラー検出巡回冗長検査 ) / スクラブ CRAM SEU イベントを検出し、CRAM 内容を自動訂正する EDCRC 機能を活用できます。
M20K SRAM ブロック インテルは、インターリーブ、特別なレイアウト手法、および ECC ( 誤り訂正コード ) を採用しており、SEU FIT レートをほぼ 0 にします。
センシティビティー・プロセッシング センシティビティー・プロセッシングを使用して、SEU が生じたCRAM ビットが使用されているか未使用かを識別します。
フォルト・インジェクション フォルト・インジェクション機能を使用して、CRAM 状態を変更してエラーをトリガーすることで、SEU イベントへのシステムの反応を検証します。
階層的タグ付け センシティビティー・プロセッシングおよびフォルト・インジェクションを補完する機能であり、デザインロジックの特定の部分の SEU レポートおよび注入の制約向けです。
トリプル・モジュール・リダンダンシー (TMR) ステートマシンのようなクリティカルなロジックに、TMR 手法を実装できます。