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1. Arria® 10デバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. Arria® 10デバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. Arria® 10デバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. Arria® 10 デバイスにおける I/O と高速 I/O
6. Arria® 10 デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. Arria® 10デバイスにおけるコンフィグレーション、デザイン・セキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. Arria® 10デバイスにおける SEUの緩和
9. Arria® 10デバイスにおける JTAG バウンダリー・スキャン・テスト
10. Arria 10デバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. 改訂履歴
5.7.1. Arria® 10 デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : HPS 共有 I/O バンクでの I/O ピンの使用
5.7.5. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.6. ガイドライン : アルテラ LVDS SERDES IP コアのインスタンス化
5.7.7. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.8. ガイドライン : Arria 10 GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.9. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
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8.1. SEU 緩和の概要
SEU (Single Event Upset) とは、宇宙放射線の影響により、デバイスや一般的にはSRAM (Static Random Access Memory) といったシステム内部のストレージ・エレメントの状態が変化することを指します。この状態はソフトエラーであり、多くの場合、ストレージ・エレメントをその初期値に復帰することにより修正可能で、デバイス自体にはダメージを残しません。意図しないメモリー状態により、デバイスは、これを修正するまで誤った動作を継続することがあります。
SER (Soft Error Rate) は、動作時間10億時間あたり1回のソフトエラー発生を1とするFIT (Failure-in-Time) 単位で表されます。発生頻度が低ければ、多くの場合SEUの緩和は不要です。しかし、複数の集積度の高いコンポーネントを含む複雑なシステムでは、エラー・レートは重要なシステム・デザイン要素となります。システムが複数のFPGAを含んでおり、高い信頼性と可用性を必要とする場合は、ソフトエラーの影響を考慮する必要があり、この種のエラーの検出・回復に使用可能なテクニックを使用します。