インテルのみ表示可能 — Ixiasoft
1. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおけるI/Oと高速I/O
6. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスのコンフィグレーション、デザインのセキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける SEUの緩和
9. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスでのJTAGバウンダリー・スキャン・テスト
10. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. インテル® Cyclone® デバイスにおけるエンベデッド・メモリーブロックの改訂履歴
5.1. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O と差動 I/O バッファー
5.2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける I/O 規格と電圧レベル
5.3. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおけるインテルFPGA I/O IP コア
5.4. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O リソース
5.5. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O のアーキテクチャーと一般機能
5.6. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける高速ソース・シンクロナス SERDES および DPA
5.7. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O および高速 I/O の使用
5.8. デバイスにおけるI/Oと高速I/O
5.7.1. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.5. ガイドライン: LVDS SERDES IPコアのインスタンス化
5.7.6. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.7. ガイドライン : インテル® Cyclone® 10 GX GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.8. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
6.1. インテル® Cyclone® 10 GX 外部メモリー・インターフェイス・ソリューションの主な特徴
6.2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスでサポートされるメモリー規格
6.3. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイス幅
6.4. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイスI/Oピン
6.5. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスパッケージのメモリー・インターフェイスのサポート
6.6. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイス
6.7. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイスのアーキテクチャー
6.8. デバイスでの外部メモリー・インターフェイス
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5.6.7.1.4. 非 DPA モードのレシーバー・スキュー・マージン
LVDS レシーバーのさまざまなモードではさまざまな仕様を使用され、受信したシリアルデータを正しくサンプリングする機能を決定するのに役立ちます。
- DPA モードでは、RSKM ( レシーバー・スキュー・マージン ) ではなく、DPA ジッター許容値を使用します。
- 非 DPAモードでは、レシーバーのデータパスにおける高速ソース・シンクロナス差動信号に RSKM、TCCS、およびサンプリング・ウィンドウ (SW) 仕様を使用します。
RSKM の式
次の RSKM 式は、RSKM、TCCS、および SW 間の関係を示します。
図 110. RSKM の式
式に使用される規則は次の通りです。
- RSKM — レシーバーのクロック入力およびデータ入力サンプリング・ウィンドウ間のタイミングマージン、ならびにコアノイズと I/O スイッチング・ノイズが引き起こすジッター
- TUI (Time Unit Interval) — シリアルデータの時間周期
- SW — LVDS レシーバーがデータを正しくサンプリングするために、入力データが安定していることが必要な期間。SW はデバイス特性であり、デバイスのスピードグレードに応じて異なる。
- TCCS — 同じ PLL によって駆動されるチャネル間の最高速出力エッジと最低速出力エッジ間のタイミングの差。TCCS 値には tCOのばらつき、クロック、およびクロックスキューが含まれる。
注: チャネル間スキューを追加する場合は、TCCSではなくレシーバーのチャネル間スキューの合計 (RCCS) を考慮してください。 .
データレートとデバイスに基づいて RSKM 値を計算し、LVDS レシーバーがデータをサンプリングできるかどうかを判断する必要があります。
- トランスミッター・ジッターを差し引いた後の正の RSKM 値は、LVDS レシーバーがデータを正しくサンプリングできることを示します。
- トランスミッター・ジッターを差し引いた後の負の RSKM 値は、LVDS レシーバーがデータを正しくサンプリングできないことを示します。
図 111. の差動高速タイミング図およびタイミングバジェット次の図は、レシーバーの RSKM、TCCS、および SW の関係を表しています。