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1. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおけるI/Oと高速I/O
6. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスのコンフィグレーション、デザインのセキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける SEUの緩和
9. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスでのJTAGバウンダリー・スキャン・テスト
10. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. インテル® Cyclone® デバイスにおけるエンベデッド・メモリーブロックの改訂履歴
5.1. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O と差動 I/O バッファー
5.2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける I/O 規格と電圧レベル
5.3. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおけるインテルFPGA I/O IP コア
5.4. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O リソース
5.5. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O のアーキテクチャーと一般機能
5.6. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける高速ソース・シンクロナス SERDES および DPA
5.7. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O および高速 I/O の使用
5.8. デバイスにおけるI/Oと高速I/O
5.7.1. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.5. ガイドライン: LVDS SERDES IPコアのインスタンス化
5.7.6. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.7. ガイドライン : インテル® Cyclone® 10 GX GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.8. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
6.1. インテル® Cyclone® 10 GX 外部メモリー・インターフェイス・ソリューションの主な特徴
6.2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスでサポートされるメモリー規格
6.3. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイス幅
6.4. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイスI/Oピン
6.5. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスパッケージのメモリー・インターフェイスのサポート
6.6. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイス
6.7. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイスのアーキテクチャー
6.8. デバイスでの外部メモリー・インターフェイス
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8.2.3. トリプル・モジュール・リダンダンシー
トリプル・モジュール・リダンダンシー (TMR) は、SEUが原因のダウンタイムを許容できないシステムに対して使用します。 TMRは、確立したSEU軽減手法として、ハードウェア・フォールト・トレランスの向上のために使用されます。TMRのデザインには、同一のハードウェア・インスタンスが3つあり、出力に投票ハードウェアが備えられています。SEUによっていずれかのハードウェアのインスタンスが影響を受ける場合、投票ロジックでは過半数出力を記録します。この操作によって、誤動作しているハードウェアがマスクされます。
TMRを使用すると、シングルSEUではデザインのダウンタイムはなくてすみます。システムで障害のあるモジュールが検出された場合、システムではエラーをスクラブするためにそのモジュールを再プログラムします。誤り検出訂正時間は、SEUイベントのMTBFより何桁も少なくなります。したがって、システムではソフト割り込みを修復して、別のSEUによってTMRアプリケーション内の別のインスタンスが影響を受けないようにします。
TMRの欠点は、ハードウェア・リソースのコストです。3倍のハードウェアが必要になり、加えて投票ロジックも必要です。このハードウェア・コストを最小限に抑えるために、TMRの実装は、デザイン内の最もクリティカルな部分のみで実行します。
複数の方法を使用して、TMRデザインの生成のために、指定機能の自動複製および必要な投票ロジックの自動合成を行います。Synopsysでは自動TMR合成を提供しています。