インテル® Cyclone® 10 GXコアファブリックおよび汎用I/Oハンドブック

ID 683775
日付 8/13/2021
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ドキュメント目次

8.2. インテル® Cyclone® 10 GX SEU緩和の概要

インテル® Cyclone® 10 GXデバイスは、さまざまなアプリケーション・エリア向けの多様な SEU ( シングル・イベント・アップセット ) 緩和のアプローチを備えています。

表 83.   インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける SEU 緩和のエリアとアプローチ
エリア SEU 緩和のアプローチ
シリコンデザイン : CRAM / SRAM / フリップフロップ Intelは、アップセットの削減や修正可能な 2 ビット・エラーの抑制のために多様なデザイン手法を使用しています。
EDCRC ( エラー検出巡回冗長検査 ) / スクラブ CRAM SEU イベントを検出し、CRAM 内容を自動訂正する EDCRC 機能を活用できます。
M20K SRAM ブロック Intelは、インターリーブ、特別なレイアウト手法、および ECC ( 誤り訂正コード ) を採用しており、SEU FIT レートをほぼ 0 にします。
センシティビティー・プロセッシング センシティビティー・プロセッシングを使用して、SEU が生じたCRAM ビットが使用されているか未使用かを識別します。
フォルト・インジェクション フォルト・インジェクション機能を使用して、CRAM 状態を変更してエラーをトリガーすることで、SEU イベントへのシステムの反応を検証します。
階層的タグ付け センシティビティー・プロセッシングおよびフォルト・インジェクションを補完する機能であり、デザインロジックの特定の部分の SEU レポートおよび注入の制約向けです。
トリプル・モジュール・リダンダンシー (TMR) ステートマシンのようなクリティカルなロジックに、TMR 手法を実装できます。